完全兼容GM8775C方案|替代GM8775C设计|CS5518替代GM8775C DSI转双LVDS设计方案
GM8775C 型 DSI 转双通道 LVDS 发送器产品主要实现将 MIPI DSI 转单/双通道 LVDS功能。GM8775C输入端DSI符合 协议支持 MIPI® D-PHY 1.00.00 和MIPI® DSI 1.02.00，可实现 1 到 4通道 DSI 信号接收。最大数据率 1Gbps/通道。视频输入格式支持 16bit RGB565、18bit RGB666 和 24bit RGB888 模式。MIPI 通道支持LPDT 传输（Low-Power Data Transmission）和反向 LPDT 传输。GM8775C输出端是双路LVDS FPD LINK 发送输出支持单/双通道模式。选择双通道模式时，可配置输出为18/24bit，JEIDA/VESA 格式；选择单通道时，每通道可同时输出，且可单独配置输出模式（18/24bit，JEIDA/VESA 模式）。LVDS 像素时钟频率支持 25MHz～154MHz。双通道 LVDS 最大视频格式为 FULL HD（1920 x 1200@60Hz）。
CS5518是一款MIPI DSI输入、LVDS输出转换芯片。MIPI DSI 支持多达4个局域网，每条通道以最大 1Gbps 的速度运行。LVDS支持18位或24位像素，25Mhz至154Mhz，采用VESA或JEIDA格式。它只能使用单个1.8v电源，以节省成本并优化电路板空间，CS5518适用于多个细分市场和显示应用，如手持设备，主板，双面板显示器和汽车显示器等。
综上所示：CS5518在功能上面可以完全替代GM8775C，
下面详细列出CS5518与GM8775C的参数：
CS5518参数如下：
嵌入式振荡器，无需外部晶体
可选外部时钟输入，用于 20-154MHz
支持 SSC 生成 +/-3%100~300KHz 以降低 EMI
支持抖动和 6 位 +FRC
将PWM发生器与GPIO输出PWM集成以控制反向
内部上电复位 （POR）
持 MIPI D-PHY 版本1.00.00 和 MIPI DSI 版本 1.02.00
支持1至4数据通道，1时钟通道
双向车道 0（仅倒车 LP）
支持超低功耗（超低功耗状态）
支持18/24/30/36位的打包像素格式RGB
支持松散打包的 18 位像素格式RGB
支持 RGB565 16 位输入
DSI 主机可以在 ESCAPE 模式下访问本地寄存器
支持同步事件/同步脉冲模式
在V型消隐期间，支持所有线路进入低功耗模式
支持通道/极换
支持连续时钟和/或非连续时钟
支持18位单端口，18位双端口，24位单端口和24位双端口LVDS输出接口。
支持VESA和JEIDA模式
灵活的LVDS输出引换
可编程摆幅/共模电压
支持通道/极性/位交换
GM8775C的参数特性如下：
I/0 电源电压：1.8V /3.3V；
core 电源电压：1.8V；
支持 MIPI® D-PHY 1.00.00 和 MIPI® DSI 1.02.00。
MIPI 支持 1/2/3/4 通道可选的传输方式，最高速率 1Gbps/通道。
MIPI 接收 18bpp RGB666 、24bpp RGB888 、16bpp RGB565 的打包格式。
MIPI 支持 LPDT 传输（Low-Power Data Transmission）和反向 LPDT 传输。
LVDS 的时钟范围为 25MHz 到 154MHz。
LVDS 输出支持单/双通道模式。选择双通道模式时，可配置输出为 18/24bit，JEIDA/VESA 模式；选择单通道时，每通道可同时输出，且可单独配置输出模式（18/24bit，JEIDA/VESA 模式）。
LVDS 的输出数据通道可灵活调整顺序以方便 PCB 布线。
可选择采用 MIPI 时钟或外部参考时钟做 LVDS 输出的参考频率，且支持自动校准功能。
支持 MIPI command mode 配置和外部 I2C 配置两种芯片配置方式；
GPO 可以输出 PWM 信号，控制屏幕背光。
封装: QFN48-pins with e-pad. n）
工作温度：-40℃~85℃；
ESD 能力：≥2KV
综上所示：CS5518在参数特性上是可以兼容GM8775C，且CS5518 内置晶振，内置LDO ,内置SPI MCU，整体方案设计外围电路较GM8775C简洁，整体方案BOM成本比GM8775C要低，且芯片成本比GM8875C要有优势。
GM8775C与CS5518结构框图比较如下：
综上所示:
GM8775C与CS5518的结构功能框图是一致，在功能上CS5518是可以完全替代GM8775C，且CS5518还可以设计关于MIPI转LVDS转换器方案，比起GM8775C方案来说，更具性价比，应用更加广泛，且CS5518 内置晶振，内置LDO ,内置SPI MCU，整体方案设计外围电路较GM8775C简洁，整体方案BOM成本比GM8775C要低，且芯片成本比GM8775C要有优势。
下面GM8775C与CS5518设计方案电路原理图对比如下所示：
综上可以CS5518外围器件少，整体方案设计简单，整体方案BOM成本比GM8775C要低，单芯片CS5518要比GM8775C要便宜20%
CS5518封装脚位是QFN48 ，GM8775C封装方式是QFN48, CS5518可以PIN TO PIN替代GM8775C，完全不需要更改任何电路。
CS5518替代GM8775C详细的设计方案规格书如下附件中：
CS5518规格书.pdf
(4.92 MB, 下载次数: 0)
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