STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V
特点：低电压降（VcE（sat））低Cres/Cies比（无交叉传导磁化率），短路耐受时间为10 us，IGBT与超快自由旋转二极管合封。
应用：高频逆变器，电机驱动器。
说明：该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺，在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。
STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装
STGF19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220FP封装
STGB19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，D2PAK封装
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