二维纳米材料霍尔效应测试
        当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个LOKB2电势差也被称为霍尔电势差Hal通过对电势差测试，可以得到被测材料的载流子浓度与载流子迁移率等参数。
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        二维纳米材料霍尔效应测试，依然用范德堡法，但电极接线与范德堡法测试电阻率有所不同，并且在测试霍效应时，通常要加磁场。下图为霍尔效应测试示意图，其理论不再整述。


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纳米材料及电子器件电学测试面临的挑战

  • 纳米级尺寸，性能异于宏尺寸材料与器件状态变化快，对测试仪器响应速度有要求。
  • 需配合纳米探针台
  • 必须防自热,否则极易烧毁被测样品，需选择带有脉冲模式的 SMU


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        纳米材料承受及测试电流超小(达fA级)，承受及测试电压超低(达nV级)，不同种类的材料，电阻范围超宽，从ug2~T,需选择与被测纳米材料和器件电性能相适应的SMU，需多种降低误差与噪声的手段，如加流测压或加压测流，四线法连接，屏蔽与滤波，降低热噪声等

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纳米材料及电子器件电学测试方案
        有关纳米材料电学测试方案将分别在《纳米线/碳纳米管测试方案》及《二维石墨烯材料测试方案》中详述。下页给出了纳米材料电学测试SMMU应用场景，测试特点及选型原则的示意图，通过该图，结合被测纳米材料或纳米电子器件的类型及测试要点，选择最适合的SMU。从该图还可以看出，4200-SCS几乎适用于全部种类的纳米材料的测试，当然，某些特殊的源表更适合一些特殊的应用。