■描述
●AP8G04S采用先进的沟槽技术，可提供出色的R-D（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。


■一般特征
●V-DS=40V，I-D=8.3A
●R-DS（ON）<25mΩ@V-GS=10V（类型：18mΩ）
●V-DS=-40V，I-D=-6.3A
●R-DS（ON）<50mΩ@V-GS=-10V（类型：42mΩ）
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