A点断开，是否连R3也一起断开了，Q1关断时，漏极电压上升比较快，会造成Q2导通，造成损坏

在DC/DC变换器中，当使用MOS管（通常是N沟道或P沟道MOSFET）进行并联时，目的是增加导通能力，从而减小导通电阻和降低热量产生。然而，如果设计或操作不当，可能会导致某些问题，如你提到的MOS管击穿。

假设我们有一个DC/DC变换器，其中有两个MOSFET（Q1和Q2）并联工作。A点是控制这些MOSFET的驱动信号的公共点。现在，让我们考虑A点断开时的情况。

工作原理：

正常操作：在正常工作状态下，当A点连接到适当的驱动电压（通常是高电平或低电平，取决于MOSFET的类型）时，两个MOSFET都应该导通或截止。
A点断开：当A点断开时，如果Q1和Q2之间的驱动信号没有隔离，它们之间可能会形成一个浮动的节点。由于MOSFET的栅极和源极之间存在电容，当A点断开时，这个电容可能会通过其他路径（如Q1或Q2的漏极到源极的电阻）放电。
电压分配：如果Q1和Q2的驱动电路没有完全隔离，并且它们的栅极电容不同，那么在A点断开时，两个MOSFET之间的电压可能会不均匀分配。这可能导致一个MOSFET（例如Q2）上的电压过高，超过其额定电压，从而导致击穿。
击穿效应：当MOSFET上的电压超过其额定电压时，它可能会进入雪崩击穿区域，导致电流急剧增加并损坏MOSFET。
避免措施：

确保隔离：确保每个MOSFET的驱动电路是隔离的，以防止它们之间的相互影响。
使用相同类型的MOSFET：确保使用相同型号和规格的MOSFET，以减少参数差异导致的潜在问题。
添加保护电路：在MOSFET的栅极和源极之间添加电阻或电容，以减少电压分配不均的可能性。
监控和控制：通过监控和控制DC/DC变换器的关键参数（如电压和电流），可以及时发现并处理潜在的问题。
总之，当DC/DC变换器中的MOSFET并联使用时，必须注意确保它们之间的正确驱动和隔离，以避免出现击穿等潜在问题。