SIC632ACD-T1-GE3 内部功率MOSFET利用Vishay最先进的第四代沟槽FET技术，提供行业基准性能，显著降低开关和导通损耗。
SIC632ACD-T1-GE3集成了先进的MOSFET栅极驱动器IC，具有高电流驱动能力、自适应死区控制、集成自举肖特基二极管、警告系统结温过高的热警告（THWn），以及、零电流检测，以提高轻负载效率。驱动器还与广泛的PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V PWM逻辑。
SIC632ACD-T1-GE3产品特性：
1.热增强型PowerPAK-MLP55-31L封装
2.Vishay的第四代MOSFET技术和集成肖特基二极管的低端MOSFET
3.提供高达50 A的连续电流
4.高效性能
5.高达1.5 MHz的高频操作
6.针对19 V输入级优化的功率MOSFET
7.3.35VPWM逻辑，具有三态和保持
8.零电流检测控制提高轻载效率
9.低PWM传播延迟（<20 ns）
10.更快的禁用
11.热监视器标志
12.VCIN的欠电压锁定
产品应用领域：
笔记本电脑
数码相机
通信设备
可编程控制器
交流适配器
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