本期也是一期朋友的问题，这个电路看了很多次了，但是这样出错是第一回看到。。。
朋友的设计电路是想用NMOS控制PMOS做使能控制（大概意思），本意在CTRL为高电平时，让NMOS导通时，PMOS导通，VOUT拉高；当CTRL为低电平时，让NMOS关断，PMOS关断，VOUT拉低。其中R3为控制信号VOUT的下拉电阻。有误的电路图如下：
但是，正常应该放在栅极源极之间的分压电阻被错误的放到了栅极和漏极之间，这便导致了PMOS只可以正常导通，但是无法正常关断，PMOS不会工作在截止区，而是工作在了线性区（可以看到Vds很大）。仿真电路图如下：
正确的分压电阻放置位置应该如下图所示，这样可以保证PMOS的有效开通或关断：
总结：关于这个电路没什么太多要说的，因为很多都已经被说了，这个错误希望大家引以为戒。
另外最后提醒一下大家，三极管和MOS管的封装一定要注意，不要用错了封装，这个封装问题之前也有群友或者群友的同事遇到（虽然没特地写一期推文）。封装问题会比较隐蔽，因为原理图是正确的，但是由于封装对应不上，查问题很慢才能排查到。一定要格外注意格外小心。
不要看到三个腿的封装检查都不检查直接拿过来当三极管/MOS管封装。例如下图的sot-23的PCB封装和原理图封装就是对应的。
下图的原理图封装就和PCB封装库是对应不上的，所以三极管和MOS管的封装问题要格外注意，尤其是在导入新封装的时候。
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mil和mm可是差了很多，