浪涌普遍存在于配电系统中,其危害主要分为灾难性危害和积累性危害两种。灾难性危害指的是电涌电压超过某设备的承受能力,则该设备完全被破坏或寿命大大降低;积累性危害是指多个小电涌累积效应造成电子设备半导体器件性能的衰退、设备发故障和寿命的缩短,最后导致停产或是生产力的下降。
·浪涌的特点:产生时间短,通常只持续几纳秒至几毫秒;浪涌出现时,电压电流的幅值超过正常值的两倍以上。
·浪涌的影响:浪涌无处不在,在配电系统中,浪涌对敏感电子设备的影响主要有破坏、干扰和过早老化。
目前的浪涌保护器见主要有气体放电管、固体放电管、放电间隙、压敏电阻、快恢复二极管、瞬态抑制二极管、晶闸管、温度保险丝、快速熔丝、高低通滤波器等器件。
压敏电阻型(MOV):这种保护器利用金属氧化物压敏电阻的非线性特性,当电压超过一定值时,电阻迅速下降,从而分流过电压。
气体放电管型(GDT):利用气体放电的特性,当电压超过放电管的触发电压时,气体电离形成导电通道,泄放过电压。
瞬态电压抑制二极管型(TVS):利用二极管的非线性特性,在电压超过其击穿电压时,二极管导通,泄放过电压。
半导体放电管(TSS):基于可控硅的原理和结构的一种二端负阻器件,用于保护敏感易损的集成电路,使之免受瞬间雷电和过电压的冲击而造成的损坏。