碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
碳化硅MOSFETB2M030120Z产品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。
B2M030120Z详情无码.jpg
B2M030120Z产品特性：
低导通电阻，高阻断电压
低电容
雪崩的坚固性
无卤素，符合Rohs标准
B2M030120Z产品优势：
更低比导通电阻
更低开关损耗
更高可靠性
更高工作结温
应用领域：新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。
有需要的宝宝可以找我申样，深力科电子 Mobile：13723773226