ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。
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ESD静电二极管特性

• 低电容，最低可至0.15pF；

• 快速响应时间：通常小于1.0PS；

• 小型化器件，节约PCB空间；

• 工作电压可以根据IC的工作电压设计，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；

• 灵活度高，可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数；

• 封装形式多样化，封装有：QFN-0201、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-323、 SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8、SOIC-16 等；

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ESD静电二极管参数详解

• VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。

• VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的 电流下测量。

• IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。

• IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。

• VC： 钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。

• C J：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。

应用案例

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深圳浪拓电子技术有限公司作为一家本土服务的电路保护元件企业，为客户提供更具专业性、多种类的组合电路保护。主要产品有气体放电管、半导体放电管、TVS二极管、ESD静电保护二极管、复合保护器件（SPD）等。
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