在电力电子系统中，MDD整流桥作为整流电路的核心组件，其可靠性对整个系统的稳定运行至关重要。然而，在实际应用中，整流桥的失效（俗称“炸机”）现象时有发生，给设备的安全性和寿命带来严重影响。MDD在本文将深度剖析整流桥的4类典型失效模式，并提出相应的防护设计方案，以帮助工程师提高整流电路的可靠性和安全性。

1.过电流击穿

失效原因：

过流可能是由于负载短路、突加负载、电网波动或突发性冲击电流导致的。

过大的冲击电流会使整流二极管的PN结过热，导致热失控甚至物理爆裂。

防护设计：

✅选用合适的额定电流和浪涌耐受能力更高的整流桥。✅在整流桥前端串联保险丝或热敏电阻（NTC），减少大电流冲击。✅优化滤波电容容量和位置，避免充电电流过大引起的过流冲击。

2.反向电压过高导致的二极管击穿

失效机理

当整流桥的二极管反向耐压不足，而输入电压的尖峰超过其反向耐压值（VRRM），PN结会被反向击穿，导致短路或损坏。

防护设计

✅合理选择耐压值合适的二极管，一般应比输入电网电压峰值高出20%~50%。例如，对于220V AC输入的设备，整流桥应选择1000V耐压等级，而非600V或800V。✅在输入端并联TVS二极管或MOV压敏电阻，以吸收可能的浪涌电压冲击，保护整流桥。

3.过热导致热失控和焊点失效

失效机理

整流二极管在导通时会有导通损耗，在高频或大电流下会导致结温急剧升高，超过极限温度时二极管会损坏。

PCB散热设计不良，导致热量积聚，引发热崩溃。

热-电疲劳导致焊点老化、裂纹甚至烧毁。

防护设计

✅选择合适的额定电流，整流桥的额定电流应留有足够余量，通常选择实际需求的2~3倍。✅优化散热设计：使用散热片、铜箔加厚、增加热导材料，或选用高热传导率的基板（如铝基板或铜基板）。✅采用更高性能的二极管：例如用低正向压降的肖特基二极管替换普通硅二极管，以降低功率损耗。✅控制开关频率，防止MOSFET与整流二极管同时导通，避免瞬时大电流造成过热和损坏。

3.过载或过流导致的二极管烧毁

（1）失效机理

过大的输入浪涌电流超过整流桥的额定电流能力，导致硅芯片损坏或焊点断裂。

过高的电流密度产生过量的焦耳热，使二极管内部短路或开路。

（2）防护设计

✅合理选择整流桥电流等级，预留足够裕量（一般取正常工作电流的2~3倍）。✅采用限流电阻或NTC浪涌抑制器，在整流桥输入端串联NTC热敏电阻，可有效限制浪涌电流。✅优化散热设计：选用铜基板、加大散热片、增强PCB导热能力。

4.结论

在高频应用中，整流桥的EMI优化和反向恢复时间控制对提高系统性能至关重要。合理的LC滤波能减少噪声，提高功率因数，适用于中低频段，而有源PFC能进一步优化功率因数和效率，但增加了电路的复杂性和成本。对于高频应用（如PFC电路、逆变器），建议使用低trr的快恢复整流二极管或SiC整流桥，并配合RC缓冲、电感降di/dt等优化措施，来平衡EMI控制与转换效率，提升系统的整体性能。

选择正确的整流桥类型及优化电路设计，不仅能提高转换效率，还能优化EMI性能，实现更稳定的高频应用