产品概述：
CRJQ30N60G2BF 是一款基于 CRM(CQ) Super-Junction 技术的高性能 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率、高可靠性的工业级应用设计。其优化的器件结构提供 600V 击穿电压、28mΩ 超低导通电阻（RDS(on)） 和 83A 连续漏极电流 能力，显著降低导通损耗并提升功率密度，适用于高频开关及大功率场景。
核心特性与优势：
1.CRM(CQ) Super-Junction 技术
2.极低导通损耗（RDS(on) = 28mΩ @ VGS=10V）
3.卓越的开关性能（低 FOM 值）
4.超快体二极管（Ultra-Fast Body Diode）
5.工业级可靠性认证
键参数
| 参数 | 值 |
| 击穿电压（VDS） | 600V |
| 连续漏极电流（ID） | 83A @ TC=25°C |
| 导通电阻（RDS(on)） | 28mΩ @ VGS=10V, ID=40A |
| 栅极电荷（Qg） | 典型值 90nC |
| 封装类型 | TO-247-3L |
应用领域：
显示与照明系统
新能源与储能系统
电源与充电设备
工业电机与驱动
附上CRMirco热销MOS管选型：
CRJQ99N65G2BF CRJQ41N65GCF CRJQ30N60G2BF
CRSS109N20NZ CRSS042N10N CRSS028N10N
CRSM011N04N6Q CRSM014N04N6Q CRSM013N06N4Z
CRSM023N04N2Z
有需要的宝宝可以找我申样，深力科电子 Mobile：13723773226
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