1 iCreate量产工具估计很多头铁的都用过。电脑控的铁子们最常见的事情就是U盘还在，但是数据却没了。u盘可以随便仍，但是里面的数据可能有0.1个比特币的账户。是否使用过u盘数据恢复基本是资深铁子的标配。

然鹅，iCreate自己的硬件方案有见过的没有，能持续续航20年，那么就是这个选手了。虽然128M实在是太小了，不过，大家如果手写word，应该不会超过这个数的。所以，直到昨天还在干活。

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2 浅拆

2.1 U盘的硬件拆解必须是最简的方案，最省银子的方案，不排除故意打胶封死的。虽然128M很小，但是相比第一批32M的，已经是大内存了。

这个是用铝壳卡住的，完全没有用胶。撬开后平推，

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随后把塑料外壳简单一掰就开了，使用的是iCreate的控制器解决方案。

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那么，20年份酒值钱，21年的年份优盘，只剩下怀古了。生辰是2004年8月。

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去掉防拆贴纸，toshiba东芝，NAND flash

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3 分析

3.1 能跑20年的flash，使用iCreate内存控制器的在正面，使用 6MHz晶振驱动，同时还有一个LDO RE338，负责把USB的+5V Vdd转换成3.3V以供芯片驱动。

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如下是32引脚的配置图。i5062-ZD 是 iCreate Technologies Corporation发布的单芯片 USB 闪存盘控制器，兼容 USB 1.1 和 2.0，可连接最多 4 个 NAND 型闪存芯片，具备 USB 启动、免驱动等功能。它支持多种操作系统，拥有多级安全保护机制，读写速度快，支持多种容量和型号的闪存芯片，采用 32 引脚 TSOP Type I 封装，工作电压 3.0 - 3.6V，工作温度 0 - 70°C，

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  • 产品特性
    • 系统功能：兼容 USB 1.1 和 USB 2.0，支持 USB-ZIP/USB-HDD 启动，可实现多盘功能，具备多级安全保护机制（非保护、低保护只读、高保护不可访问），支持只读权限。兼容 Windows 98/Me/2K/XP、MacOS 9+、Linux kernel 2.4 + 等操作系统，在 Windows 下可配置为可移动或固定驱动器类型，支持每个磁盘的唯一序列号，可配置 USB 供应商 / 产品 ID，用户还能自定义磁盘 ID。读写速度较快，读速 > 1000K 字节 / 秒，写速 > 800K 字节 / 秒 ，设有写保护开关和 Ready/busy LED 指示灯。
    • 闪存控制：支持 128Mb 至 8Gb 的 NAND 型闪存，搭配 i5068-Z 可支持 AND 闪存，最多连接四个闪存芯片。具备磨损均衡功能以延长产品寿命，可进行缺陷块隐藏和动态缺陷块处理，通过实时 ECC（错误校正码）增强可靠性。
    • 芯片硬件：内置片上电压检测器用于上电复位，采用单 3.3V 电压供电，使用 6MHz 外部时钟以降低电磁干扰，采用 32 引脚 TSOP Type I 封装。
  • 引脚配置与定义
    • 引脚分布：采用 32 引脚 TSOP Type I 封装。
    • 引脚功能：包含 USB 引脚（DPLS、DMNS）、时钟引脚（OSCI、OSCO）、闪存引脚（如 FD7 - FD0、FCE3 - FCE0 等）、系统控制引脚（PPU、LED）以及电源和接地引脚（VDD、VSS、VDDA、VSSA），各引脚功能不同，且 I/O 类型具有不同驱动能力。
  • 电气规格
    • 推荐工作条件：VDD 电压范围为 3.0 - 3.6V，工作温度为 0 - 70°C。
    • DC 特性：输入低电压 VIL≤0.3*VDD，输入高电压 VIH≥2.0V，输出低电压 VOL≤0.4V，输出高电压 VOH≥2.4V。
  • 闪存支持列表：支持众多品牌（如 Actrans、Fujitsu、Hynix 等）和不同容量（128Mbit - 8Gbit）的闪存芯片，具体型号繁多。里面有很多老面孔，如ST，英飞凌，这些老面孔早就推出了一片红海的内存芯片，这里用到的东芝也在日本多家品牌合并后，直接破产，再也找不到了。

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这个控制器是串行通信，命令和数据都通过这个数据信号引脚传输，这么理解，和我们经常用的LCD驱动使用的逻辑非常相似。这个控制器，其实还是当时的顶流，最大可以支持8G的内存，这里用的东芝支持到2G，不过是按bit位计算，实际按照字节，最大256M，也是当时能力所做到最大的u盘了。

这个控制IC还是功能很强大的，也支持数据保护，不过，USB1.1？那么一直坚持到2025年，从微电子的角度，也是老迈龙钟了。

3.2 朴实无华的东芝NAND flash

TC58DVG02A1FT00 是东芝推出的一款 1-Gbit（1,107,296,256 位）CMOS NAND E2PROM 芯片，在存储领域应用广泛。

  • 基本信息：型号为 TC58DVG02A1FT00，是 1-Gbit（128M×8 BITS）的 CMOS NAND E2PROM，采用单 3.3V 供电 ，属于串行型存储设备，通过 I/O 引脚实现地址、数据和命令的输入输出。
  • 芯片特性：具有 528 字节静态寄存器，支持多种操作模式，如读、复位、自动页编程、自动块擦除等 。具备 1E5 次编程 / 擦除循环（带 ECC）的能力，数据从单元阵列到寄存器的传输时间最大为 25μs，串行读取周期最小为 50ns 。不同操作的电流不同，如读操作（50ns 周期）典型电流为 10mA ，编程和擦除操作的平均电流均为 10mA，待机电流最大为 50μA。采用 TSOPI48-P-1220-0.50 封装。
  • 引脚信息：共 48 个引脚，包括 I/O 端口（I/O1 - I/O8）、芯片使能（CE）、写使能（WE）、读使能（RE）等多种功能引脚。各引脚在不同操作中承担不同功能，如 CLE 用于控制操作模式命令加载，ALE 用于控制地址或数据输入等。
  • 电气特性：绝对最大额定值方面，VCC 供电电压范围为 0.6 - 4.6V，输入电压、输入 / 输出电压等也有相应范围限制，功耗最大为 0.3W ，焊接温度（10s）为 260°C，存储温度为 - 55 - 150°C，工作温度为 0 - 70°C 。推荐直流工作条件下，VCC 电压为 2.7 - 3.6V ，高电平输入电压、低电平输入电压有对应范围。还有直流和交流特性相关参数，如输入泄漏电流、输出泄漏电流、各种操作的时间参数等。
  • 操作模式：通过 19 种不同命令控制操作模式，命令、地址和数据的输入输出由 CLE、ALE 等信号控制 。读模式有三种，分别用于不同地址范围的数据读取；自动页编程、自动块擦除、多块编程和多块擦除等操作都有特定的命令和流程；状态读取可用于监测设备状态；复位命令可停止所有操作；ID 读取可获取设备相关代码信息。
  • 应用注意事项：电源通断时，WP 信号用于保护数据，VCC 达到 2.5V 且 CE 信号保持高电平时，WP 信号可取消，VCC 达到 2.5V 后约 200μs 再开始访问 。对命令输入有严格限制，禁止输入未指定命令，忙状态下只能输入特定命令等。编程时页面需按顺序编程，读写操作时也有相关限制 。需注意无效块（坏块）的检测和管理，设备可能存在编程或擦除失败的情况，应采取相应应对措施，且在写 / 擦除操作完成前不能断电。

不要小看这个芯片，控制逻辑其实不落伍

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字段访问和保护，一点也不少，而且按照段页式寻址，

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实现总容量= 528 bytes x 32 pages x 8192 blocks。


3 讨论

评价U盘的拆解，不在手法，而在情绪。到底是刷写的多少次才gaveover，到底存了多少小照片，到底经历了多少次泡水，喝了多少方便面的调料汤。不用雷军那样使用特种材料包裹，重力测试，加速撞向地面那就是基操。

这里主要是分析主控芯片，兼容性还是非常好的，而且使用起来还是比较便捷的。同时不得不说本子的品控不错，东芝NAND能够坚持这么就，时钟保持很好的数据安全性。

有很多文章就解析为什么日本内存产业从独步江湖到破落收场，过渡质量管理成为其中的一个重要因素。韩国芯片在降低成本，以及逆周期投资上敢于赌博，最后独大。

讲到这里，就特别期待长鑫这样的新锐，能够走出新的路径，n年后再次拆解，还能数据不丢，颜值不差。