楼主
共基，共集，共射。
能共的，只有射极，不管交直流。
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基极不通功率，集极不通讯号，
半桥拓扑只用于强功率振荡，放大器或时脉不会用它，
讯号源与负载，要么接电气地，要么浮置，不会接交流地，
跟随，不光是共同进退而是並驾齐驱，根据此定义，只有当射极电阻本身就是负载，或跟后级是直接耦合时，共集电路才可称之为 跟随器。
半桥拓扑只用于强功率振荡，放大器或时脉不会用它，
讯号源与负载，要么接电气地，要么浮置，不会接交流地，
跟随，不光是共同进退而是並驾齐驱，根据此定义，只有当射极电阻本身就是负载，或跟后级是直接耦合时，共集电路才可称之为 跟随器。
只有当讯号是 恒X源 时，跟随器才能体现其跟随作用，对于 电X源，共集电路只能作为 阻抗匹配 使用，
射极作为输入端，等效于大功率二极管，地的电阻和阻抗都是零，讯号源做不到！
基极紧贴于地，反映到射极的输入阻抗就会比作为射随器运用的输出阻抗还要低。但是，从保真而言，合适的讯号源却反而是恒流源！
射极作为输入端，等效于大功率二极管，地的电阻和阻抗都是零，讯号源做不到！
基极紧贴于地，反映到射极的输入阻抗就会比作为射随器运用的输出阻抗还要低。但是，从保真而言，合适的讯号源却反而是恒流源！
有电压，就有电场，FET只需电场即可动作，电流是没用的，
跟FET不同，给BJT的输入端上电，输入环路是一定会有电流流通的，
恒流源又怎样，你不先有电动势就休想有电流得出来，有源器件的驱动控制，同样是电压先行，跨导，实乃一切有源器件的根本参数，而非唯FET所独专。
跟FET不同，给BJT的输入端上电，输入环路是一定会有电流流通的，
恒流源又怎样，你不先有电动势就休想有电流得出来，有源器件的驱动控制，同样是电压先行，跨导，实乃一切有源器件的根本参数，而非唯FET所独专。
BJT中的受控部份，是导电的，运行时，输入环路会有电流，由于PN结(正向)的输入行程只有0.7V，而且跟 Ic 成线性关系的是Ib，所以咱们说BJT是 电流控制器件，
三极管的电压增益，有 极限参数，特性参数及工程参数 这三个层次，极限就是 集电结耐压与发射结输入行程，特性就是 集射二结的伏安特性，工程参数就是 周边配置，你设计的电路所用的电阻(包括负载)数值及电源电压，
共基与共射，都是有电压增益的拓扑，Rc愈大，电压增益愈高，是因为 Ic 小则所需的 ube 也小，如果把 ube 忽略，只把输入讯号视为纯电流，则负载压降（输出幅度）跟讯号（输入电流）成正比，这关系就叫做「转阻」，跟电压增益一样，Rc愈大，转阻愈高。
三极管的电压增益，有 极限参数，特性参数及工程参数 这三个层次，极限就是 集电结耐压与发射结输入行程，特性就是 集射二结的伏安特性，工程参数就是 周边配置，你设计的电路所用的电阻(包括负载)数值及电源电压，
共基与共射，都是有电压增益的拓扑，Rc愈大，电压增益愈高，是因为 Ic 小则所需的 ube 也小，如果把 ube 忽略，只把输入讯号视为纯电流，则负载压降（输出幅度）跟讯号（输入电流）成正比，这关系就叫做「转阻」，跟电压增益一样，Rc愈大，转阻愈高。
Ccb，是令三极管高频性能受制的元凶，这损失是不能以负反馈讨回的，改变组态才有用，
共基与共集，都是把 Ccb 一端的电位固定，破坏了 米勒效应，使频限提高，同一只管可用于更高的频率，但是，共集牺牲了电压增益，共基失去了电流增益。
共基与共集，都是把 Ccb 一端的电位固定，破坏了 米勒效应，使频限提高，同一只管可用于更高的频率，但是，共集牺牲了电压增益，共基失去了电流增益。
讲的很细，很好很不错
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单管电路的电源电压利用率本来就低，因输出交流需行 甲类模式，耦合需用电容隔直，除掉直流负载及耦合电容的爪分后，最大的不失真输出幅度(半周)只有电源电压的 三份之一，交流地系统的电源的电压利用率比直流地(电气地)系统更低。