PN结，是一切半导体器件的基础！
PN结≠二极管，PN结，是组织，在本征材料中定向掺杂就能建立，
单向导电性，只是PN结的基本功能，近场效应，则是PN结进阶层级的重要机制。
楼主
半导体器件之我见
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二极管，不管你串联並联，都是成不了有源器件的，
有源器件运用的，是近场作用，把PN结卷起来或紧靠叠加，近场作用才能生效，
PN结的 电导各导向性，不过是决定了有源器件的控制方式（耗尽型抑或增强型）而矣，
对PN结缺乏通盘认识，是传统教材的部署问题，是人们对二极管跟三极管两者认知割裂的根本原因！
有源器件运用的，是近场作用，把PN结卷起来或紧靠叠加，近场作用才能生效，
PN结的 电导各导向性，不过是决定了有源器件的控制方式（耗尽型抑或增强型）而矣，
对PN结缺乏通盘认识，是传统教材的部署问题，是人们对二极管跟三极管两者认知割裂的根本原因！
关系到PN结的，除了导电各异向性与近场作用，还有 穿通，
PN结正向运用时只会烧坏，击穿是反偏时才有的问题，有源器件的击穿是发生于反偏结的，
PN结的击穿，有雪崩与齐纳两种，雪崩击穿，就是少数载流子的大量涌进，齐纳击穿则是空乏区内复合中心的分裂（有点像液体的真空沸腾），
PN结的承压机制跟绝缘体不一样，PN结是以电场承压的，电场的寄存需要边界层，结区跟端子之间那段没被耗尽的部份，就是让结电场正常发挥所需的隔离带，
当PN结被反偏时，空乏区会随着电压的升高而增厚，如果端子离结区太近，则耗尽层就会碰到端子，PN结还未达到本身的耐压限度，就已变得像普通电阻那样导电了，这就是穿通，结与结之间也会穿通，有源器件利用的是近场作用，结与结的安全距离需要考虑。
PN结正向运用时只会烧坏，击穿是反偏时才有的问题，有源器件的击穿是发生于反偏结的，
PN结的击穿，有雪崩与齐纳两种，雪崩击穿，就是少数载流子的大量涌进，齐纳击穿则是空乏区内复合中心的分裂（有点像液体的真空沸腾），
PN结的承压机制跟绝缘体不一样，PN结是以电场承压的，电场的寄存需要边界层，结区跟端子之间那段没被耗尽的部份，就是让结电场正常发挥所需的隔离带，
当PN结被反偏时，空乏区会随着电压的升高而增厚，如果端子离结区太近，则耗尽层就会碰到端子，PN结还未达到本身的耐压限度，就已变得像普通电阻那样导电了，这就是穿通，结与结之间也会穿通，有源器件利用的是近场作用，结与结的安全距离需要考虑。
强功率半导体器件，能承载千安级的电流，
那意味着，整个芯片在开通时的实体电阻只能是微欧级，
即使是重度掺杂的半导体，甚至是银，也必须极薄才能大量导电，事实上，有源器件的单体都是微观尺寸的（近场作用也是微观尺度的），
空乏区或Ⅰ层近乎本征状态，阻力很大，但始终不是无限大，在微观尺度下，绝缘能力是很有限的，阻值亦不太大，所以，一且击穿或穿通，管芯就会像 把用于弱电的电阻直接架在强电上那样，冒烟爆炸！
那意味着，整个芯片在开通时的实体电阻只能是微欧级，
即使是重度掺杂的半导体，甚至是银，也必须极薄才能大量导电，事实上，有源器件的单体都是微观尺寸的（近场作用也是微观尺度的），
空乏区或Ⅰ层近乎本征状态，阻力很大，但始终不是无限大，在微观尺度下，绝缘能力是很有限的，阻值亦不太大，所以，一且击穿或穿通，管芯就会像 把用于弱电的电阻直接架在强电上那样，冒烟爆炸！
认识BJT，须了解各处的互动关系，
整个BJT中，其实只有发射结是受控的，其他都不受控制且各不相干，只是各司其职，有源功能的实现，不过是每个环节摆对了位置，互动得以建立而矣。
整个BJT中，其实只有发射结是受控的，其他都不受控制且各不相干，只是各司其职，有源功能的实现，不过是每个环节摆对了位置，互动得以建立而矣。
PN结反偏时，结区空乏，漂移穿越结区的载流子，却跟正偏时相同，所以，这些少数载流子是不能解除结区的空乏状态的，就如真空管内有电子奔流时依然真空那样，
真空不会干预电荷的流动，但半导体是物质，载流子在半导体中流动就像电在电阻内流通，有电阻就有功耗，虽然管芯已是微观尺寸，但除非少数载流子的渡越能使耗尽层的阻力锐减，否则，芯片电阻还是不够小的。
真空不会干预电荷的流动，但半导体是物质，载流子在半导体中流动就像电在电阻内流通，有电阻就有功耗，虽然管芯已是微观尺寸，但除非少数载流子的渡越能使耗尽层的阻力锐减，否则，芯片电阻还是不够小的。
元件的运用，是电子技术，有源器件的原理，则涉及半导体物体，两者虽相关但领域不同，在院校课程中也是分科的，所以两者同书刊载似没必要。
半导体有源器件，按操控分类可分为增强与耗尽两型，按构造分类则可分为结型及绝缘型，
场效应管两型皆有，共同点是功率环路都是沟道，沟道只有通态电阻，没有饱和压降，亦没有正反偏之分。
场效应管两型皆有，共同点是功率环路都是沟道，沟道只有通态电阻，没有饱和压降，亦没有正反偏之分。
BJT饱和时，Uce<Ube，
DIAC，SSS及肖克利四层管，都是二端子器件，以正向转折方式开通，它们的「Ube」又是何境况呢？！
DIAC，SSS及肖克利四层管，都是二端子器件，以正向转折方式开通，它们的「Ube」又是何境况呢？！
費解〖HK〗 发表于 2018-7-4 13:33
BJT饱和时，Uce
上述几种有源器件，都是 双极型（半导体才有）的，
双极型器件的饱和，涉及 集电极正偏 的问题，固件架构无法重设，集电结跟电源的关系也是既定的，在集电极无对地支路的情况下，集电结按理该没正偏的可能，
可实际上，Ucb 真的可以逆转，对于这种逆转，只能解释为「集极沉陷」，这沉陷是如何形成的，集电结正偏的程度为何总是相当于PN结的拐点电压，可堪玩味。
BJT的输入特性
实际上，当 Uce 小于0.45V 时，那伏安特性已非 真正BJT的输入特性！
双极型有源器件都有饱和压降，
因为，正向势垒与空乏区电场都需要一定压差才能工作，当集极电位「沉陷」到某程度，两种力量都会无以为继，Uce 遂受制于此 下止点，无法再减了，我想大概是这样吧。
因为，正向势垒与空乏区电场都需要一定压差才能工作，当集极电位「沉陷」到某程度，两种力量都会无以为继，Uce 遂受制于此 下止点，无法再减了，我想大概是这样吧。
当负载占用全部的电源电压，功率环路的电流就无法进一步增加，如果对发射结的驱动继续加强，则「Ie」只能都往基极跑，那基极电流也实际上也已非真正意义上的 Ib 了。
BJT正常饱和时，集电结已无压差，但 Ie 可由电源电动势直接抽运，
集极电位的「沉陷」，是由于 Ie 在基区充盈泛滥，所造成的效果相当于MOSFET的感生沟道，
不过，发射结的正向势垒是双极型器件的灵魂，不能破坏，沟道是 Ie 建立的，但沟道不会把势垒破坏，这势垒的存在，造成无法消除的压降，
若 Vcc 小于0.45V，则抽引 少数载流子 所需的集电结电场无法建立，管子不能开通，而驱动者的电流除流进发射结外，还经集电结流进电源，相当于两只二极管並联，这样的伏安特性，已不配称之为 有源（工况）器件的输入特性了！
集极电位的「沉陷」，是由于 Ie 在基区充盈泛滥，所造成的效果相当于MOSFET的感生沟道，
不过，发射结的正向势垒是双极型器件的灵魂，不能破坏，沟道是 Ie 建立的，但沟道不会把势垒破坏，这势垒的存在，造成无法消除的压降，
若 Vcc 小于0.45V，则抽引 少数载流子 所需的集电结电场无法建立，管子不能开通，而驱动者的电流除流进发射结外，还经集电结流进电源，相当于两只二极管並联，这样的伏安特性，已不配称之为 有源（工况）器件的输入特性了！
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二极管，是PN结的直接运用，给PN结加上端子及封装，就成了二极管，
当PN结被正偏时，载流子跟电源的关系适配（空穴在正，电子在负），效果相当于把电源两极相碰，反偏时，载流子跟电源极性不适配，无以为继，所以，结区就空乏了，导不了电。