N沟道增强型MOSFET TDM3760
描述
TDM3760采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个
该器件适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
RDS（ON）<4.4mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
可提供无铅产品
TO220封装
应用
SMPS中的同步整流
硬切换和高速电路
电动工具
UPS
电机控制

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