根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》，得益于混合动力和电动汽车、电源和光伏(PV)逆变器的需求，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场的销售收入预计将从2018年的5.71亿美元增至2020年底的8.54亿美元，并在2021年突破10亿美元大关。未来十年内，该市场的规模将以年均两位数的增长率，一路攀升至2029年的50亿美元
图1：GaN和SiC功率半导体的全球市场收入预测（百万美元）
Si、SiC和GaN定位比较
作为新材料的SiC和GaN，与传统硅材料相比，有哪些特性？以SiC为例，如图2所示，从物理特性来看，SiC与硅材料的电子迁移率相差不大，但其禁带宽度、临界场强、热导率和电子迁移速度分别是硅材料的3倍、7倍、3倍和2倍。这意味着基于碳化硅和氮化镓材料的功率半导体具有高耐压、低导通电阻、寄生参数小等优异特性，当应用于开关电源领域中时，具有损耗小、工作频率高、散热性等优点，可以大大提升开关电源的效率、功率密度和可靠性，也更容易满足器件轻薄短小的要求。
图2：Si、SiC和GaN关键参数对比
那么在实际应用中，面对Si、GaN和SiC三种器件共存的情况，IC厂商及产品设计师又该如何进行选择？从总的应用趋势看，传统的硅材料开发时间最久，技术成熟度最高，产品范围最广也最完善，性价比最高，未来依然会是各个功率转换领域的主要器件；氮化镓器件由于其在快速开关性能方面的优势，会在追求高效和高功率密度的场合，例如数据中心、服务器等行业有较快的增长，但相比之下价格缺乏优势；碳化硅耐高温，温度系数变化比较小，如果要考虑“易使用性”和坚固性、耐用度，碳化硅会是不错的选择，例如汽车和太阳能逆变器等。
图3：600V/650V电压等级的CoolMOS、CoolSiC和CoolGaN
如果从具体的专业性应用角度来看，对于氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET这两种宽禁带功率半导体的选择，可以遵循以下几点建议：
（1）所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率，首先氮化镓晶体管，次选碳化硅MOSFET；若工作频率低于200KHz，两者皆可使用；
（2）所应用系统要求轻载至半载效率极高，首先氮化镓晶体管，次选碳化硅MOSFET；
（3）所应用系统工作最高环境温度高，或散热困难，或满载要求效率极高，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；
（4）所应用系统噪声干扰较大，特别是门极驱动干扰较大，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；
（5）所应用系统需要功率开关由较大的短路能力，首选碳化硅MOSFET；
（6）对于其他无特殊要求的应用系统，此时根据散热方式，功率密度，设计者对两者的熟悉程度等因素来确定选择哪种产品。
图4：Si、SiC和GaN在不同温度下的归一化RDS(on)
不过需要注意的是，很多用户对SiC和GaN器件本身的理解依然是基于一些理论和简单测试，要想加快新器件的普及，还需要让工程师能更好的理解应用和器件本身的特性，找到SiC和GaN最合适的应用领域，从系统上产生价值。
以新能源汽车为例，目前来看，GaN在650V以下/SiC在650V以上的电压系统中将会发挥各自的性能优势，电机驱动器(Main Inverter)和车载充电器(OBC)成为能将这两种器件优势最大化的应用。
因此，首先要了解新能源车的应用，找到SiC和GaN能产生价值的应用环境。正如前文所述，相对硅器件，SiC和GaN器件都具有很低的开关损耗和导通损耗，SiC在电机驱动器上的优势尤其明显，凭借高耐压值能够降低损耗，延长行驶里程，达到系统成本平衡。
其次，新能源汽车对器件可靠性的要求比工业标准更严苛，SiC和GaN开关速度更快，增加功率器件的抗干扰能力以及优化驱动电路设计来增强SiC和GaN的易用性，提升系统的可靠性，会让SiC和GaN推广得更快。
最后，在解决了系统应用和器件的技术问题后，系统成本是否有优势必然是最终决策的关键参数。尽管从目前电池电压系统的发展看，SiC在新能源汽车上会有更快速的发展，但SiC晶圆生长周期是Si晶圆的3-5倍，加工难度大，成本降低并非一朝一夕之事。如果能结合Si的成本优势和SiC的性能优势研发混合型功率器件，将会极大扩展SiC的应用范围。
功率器件的大满贯选手
作为同时拥有硅、碳化硅和氮化镓全系列功率器件开发和制造能力的厂商，英飞凌有着更全面的应用经验和客户需求了解，能够根据不同的应用场景提出相应的解决方案，从微安到兆瓦应有尽有，包括高度可靠的IGBT、功率MOSFET、氮化镓增强型HEMT、分立器件，以及所有形式的交直流电源和数字电源转换。
以600V/650V CoolSiC、CoolMOS与CoolGaN的应用定位为例，硅在电压范围为25V-1.7 kV仍是主流技术，适用于从低到高功率的应用；碳化硅适用的电压范围是650V-3.3 kV，适用于开关频率从中到高的大功率应用；而氮化镓适用的电压范围是80V-650V，适用于开关频率最高的中等功率应用。因此，在600V和650V电压等级，CoolMOS、CoolSiC和CoolGaN可以实现共存，以满足电动车充电、电机驱动加OBC(车载充电器)、电池化成、数据中心和电信开关电源、工业开关电源、太阳能光伏逆变器、储能、UPS等各种应用的需求。
图5：Si、SiC和GaN在600V和650V电压等级的价值主张
今年2月推出的650V CoolSiC MOSFET器件是英飞凌最具代表性的产品之一。其额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外，它们还具备最高的跨导水平(增益)、4V的阈值电压(Vth)和短路稳健性。
图6：英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列
考虑到碳化硅的驱动方式跟传统硅的驱动方式并不相同，为了让使用者能够获得更好的元件性能、更高的稳定度和更优化的设计，英飞凌还提供专用驱动IC搭配其碳化硅MOSFET。例如，为了简化采用650 V CoolSiC MOSFET的应用设计，确保器件高效运行，英飞凌提供了专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER栅极驱动器IC。这个整合了CoolSiC开关和专用栅极驱动器IC的完整方案有助于降低系统成本和总拥有成本，以及提高能效。
想要了解更多英飞凌宽带隙功率解决方案，请关注即将于9月7日-11日举办的“英飞凌电源与传感云端大会”。届时，英飞凌市场经理程文涛将发表题为“英飞凌的宽带隙功率解决方案：硅、碳化硅、氮化镓”的主题演讲，着重介绍三种材料的技术对比、市场定位以及未来发展趋势。
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