英特磊IET-KY昨（18）日宣布与韩国IVWorks公司合作，共同开发以MBE分子束磊晶技术生产氮化镓（GaN）磊芯片；总经理高永中表示，两家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技术方面即有密切合作，技术和营销联盟的框架于2019年形成。希望透过这次的合作案，联手开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务，应用于RF（射频）和电力器件市场。


高永中解释，此次合作是结合IVWorks的先进MBE GaN长晶和AI技术，以及IET-KY大规模MBE磊晶生产和硬设备自主经验与能力，共同开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务，应用于RF和电力器件市场。


韩商IVWorks是运用混合式MBE技术（Hybrid-MBE），生产高质量的GaN磊芯片。所谓混合式MBE磊晶就是利用氨和电浆搭配的氮源进行磊晶，以最佳化质量和生长速率，目前使用三组MBE系统来生产100mm至200mm的GaN磊芯片。


至于IET-KY则是运用拥有多项美国专利的实时生产监控系统，以分子束磊芯片生产机台（MBE）成长磊芯片于砷化镓ヽ磷化铟ヽ锑化镓基板，产品应用于电子及光电产业；高永中表示，利用公司在MBE的量产经验模式，以及硬设备自主改造升级的实力，可迅速将GaN磊芯片导入与IVWorks合作的产品组合。


法人表示，5G、物联网时代兴起，由于氮化镓（GaN）具有高频的优势，将会是接下来被大量使用的新一代半导体材料；这次与韩厂的合作，将有助IET-KY提早掌握GaN先机，扩大全球半导体市场布局。

来源：自由财经