迈向节能世界的下一个关键步骤是使用新材料，比如宽带隙半导体，这些材料可以实现更高的功率效率、更小的尺寸、更轻的重量、更低的总体成本——或者同时实现上述所有优点。

与硅相比，碳化硅(SiC)具有3电子伏特(eV)的宽带隙和更高的导热率。基于SiC的MOSFET最适用于高击穿、高功率的高频应用。与硅相比，诸如RDS(on)等器件参数随温度的变化较小。这使设计人员能够在设计中实现更小的极限，从而实现更高的性能。GaN比SiC具有更高的带隙（3.4电子伏特）和更高的电子迁移率。与硅(Si)相比，其击穿场强度高出十倍，电子迁移率提高一倍。输出电荷和栅极电荷都比硅(Si)低十倍，反向恢复电荷几乎为零，这对于高频操作至关重要。

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