1980年前后，巴利加发明了绝缘栅双极型晶体管IGBT，前面我们也是很多篇幅都是在聊IGBT，其结合了BJT和MOSFET的优势，从而带来了逆变电路的革新。而在1980年的时候，SiC晶体生长的突破也使得其器件的研发，并且1991年的时候发布了第一批商用SiC晶片。
1994年，经过结构和工艺的优化后，电阻率得到了改善，并于2001年发布了第一款SiC SBD。其典型应用之一是用在电源中的快速二极管，由于其反向恢复快到可以忽略，所以能够显著地降低开关损耗和提高开关频率，从而减小无源器件的尺寸。所以，SiC SBD被迅速用于各种电源系统，如电源、光伏系统、空调等，并且SiC二极管的最大阻断电压已经能够超过25kV。
随着SiC SBD的发展，基于SiC的MOSFET也在不断地发展和进化。随着MOSFET沟道迁移率和氧化物可靠性不断提升，2010年开始，SiC功率MOS开始商业化，市场不断扩大。根据系统中采用SiC器件比例的大小，电源或者逆变器的体积和重量能够减少2-10倍，功率密度大幅提升；同时功耗也是显著降低，带来的是转换系统效率越来越高。
下面我们就来聊聊SiC MOSFET的一些事儿~
首先，我们来聊聊导通电阻Ron，下面是一张SiC MOSFET导通电阻主要组成的示意图：
功率MOS的导通电阻主要包括多个电阻的串联，对于SiC MOSFET来说，其漂移层电阻相比于具有相同阻断电压的Si功率MOS来说低了100倍以上。而沟道电阻和JFET电阻(两个相邻p阱之间的电阻)是阻断电压高达2-3kV SiC MOS的主要因素；高于3-5kV的时候，其导通电阻主要由漂移层电阻决定，类似于600V-1200V硅MOS的情况。
上面的示意图是平面双注入的DIMMOSFET的，为了改善沟道迁移率对SiC MOS沟道电阻的限制，我们可以采用下面的方法：
★增强沟道流动性
★减小沟道长度
★减小单元间距
减小沟道长度有利于降低导通电阻，但是需要注意沟道效应的影响，否则阈值电压会降低，漏电流会增大；而减小单元间距，可以有效地增加单元密度，但是p阱地间距变短时，JFET电阻相应地会大大增大，这些都需要权衡，沟槽式的MOS理论上没有JFET电阻，所以可以进行大规模地缩短单元间距，这也是为什么沟槽MOS导通电阻非常小的原因之一。
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