KA_IX

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安全可靠性方面阐述MOSFET选型原则

2021-1-26 17:14:39 显示全部楼层
MOSFET 的应用选择须综合各方面的限制及要求。下面主要从应用的安全可靠性方面阐述选型的基本原则。
首先我们要考虑以下几个方面:
1.根据应用环境决定可预知的参数,比如Vds-peak ;Id(MAX); Tamba ;R θj-a等参数。
2.选定V(BR)DSS;按照原则来说,V(BR)DSS 约等于 110%*Vds-peak。
3.选定 ID;ID 约等于 (300%~500%)*ID(max)。
4.选择Ron,Qg,Rth大者(这个要结合成本考虑选择,在低成本可选择的条件下,选择大者)。
5.计算PD,这个要根据应用环境及上述选定的参数来进行计算。
6.计算耗散功耗约束:PD(max)
7.核算总PD是否符合功耗约束,如果PD相对于PD(max)太小或者太大都不可行,都要从第3部重新开始选择;如PD与PD(max)基本接近,那么我们的初级选型就算是通过了。
在选型的过程中,我们要了解其中的各个参数。
1 )电压应力:
在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压 V DS 的选择。在此上的基本原则为MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即:V DS_peak ≤ 90% * V (BR)DSS。
一般 V (BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V (BR)DSS值作为参考。
2 ) 漏极电流:
其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90% 即:I D_max ≤ 90% * I D
一般地, I D_max 及 I D_pulse 具有负温度系数,故应取器件在最大结温条件下之I D_max 及 I D_pulse 值作为参考。器件此参数的选择是极为不确定的—主要是受工作环境,散热技术,器件其它参数(如导通电阻,热阻等)等相互制约影响所致。最终的判定依据是结点温度(即如下第六条之“耗散功率约束”)。根据经验,在实际应用中 I D 会比实际最大工作电流大数倍,这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于 3~5 倍左右 I D = (3~5)*I D_max 。
3 ) 驱动要求:
MOSFEF 的驱动要求由其栅极总充电电量( Qg )参数决定。在满足其它参数要求的情况下,尽量选择 Qg 小者以便驱动电路的设计。驱动电压选择在保证远离最大栅源电压( V GSS )前提下使 Ron 尽量小的电压值(一般使用器件规格书中的建议值)。
4 ) 损耗及散热:
小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗,小的 Rth 值可减小温度差(同样耗散功率条件下),故有利于散热。
5 ) 损耗功率初算:
MOSFET 损耗计算主要包含如下 8 个部分:P D = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover;详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合,还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。
6 ) 耗散功率约束:
器件稳态损耗功率 P D,max 应以器件最大工作结温度限制作为考量依据。如能够预先知道器件工作环境温度,则可以按如下方法估算出最大的耗散功率:P D,max ≤ ( T j,max - T amb ) / R θj-a 。
其中 R θj-a 是器件结点到其工作环境之间的总热阻 , 包括R θjuntion-case ,R θcase-sink ,R θsink-ambiance 等。如其间还有绝缘材料还须将其热阻考虑进去。计算方式可按热流等效电路进行计算。
再根据此数值返回到上面重新调整 I D /Ron 等参数(如需要)。直到 P D,max 计算值接近而有不超过 ( T j,max - T amb ) / R θj-a 计算值。

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