“蓝色巨人”IBM，宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。据悉，此次的2nm上，采用的是GAA（环绕栅极晶体管）技术，三层。IBM介绍，这是第一次使用底介电隔离通道，它可以实现12 nm的栅长，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。这也是第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。
相比 7 纳米芯片，2 纳米芯片在相同功率下性能提升了 45%， 或在相同性能下功耗降低了 75%。
IBM 芯片的晶体管密度达到了每平方毫米 3.33 亿个晶体管。相比下台积电 5 纳米芯片的晶体管密度为每平方毫米 1.71 亿个晶体管。
IBM 曾经是主要的芯片制造商之一，如今已经把量产芯片工作委托给三星电子，但仍保有纽约州奥尔巴尼的芯片制造研发中心，该厂进行芯片试产，IBM 也与三星和英特尔签订联合技术开发协议，两家公司可以使用 IBM 的芯片制造技术。（硬件世界, solidot）
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