1. 罗姆SiC MOSFET评估板简介
1.1 罗姆SiC MOSFET评估板"P02SCT3040KR-EVK-001"配置有非常适用于驱动SiC元器件的罗姆栅极驱动器IC（BM6101FV-C）、各种电源IC及分立产品，可提供进行元器件评估的解决方案。其中的SiC芯片采用插接的方式，可以实现替换，完成多种评测。
见下图，
实际上的板子上留有对应的三通孔和四通孔，不过，对于大电流通过的回路，这样的插接方式是否牢固，还需要测试的过程中检测。
根据有关资料，主要的参数如下，
2.2 主要参数和功能
• 通过改变电路乘数器，可用来评估罗姆其他SiC－MOSFET
• 除了TO-247-4L外，还有TO-247-3L的通孔，可在同一评估板上进行对比评估
• 单一电源(+12V工作)
• 可进行最大150A的双脉冲测试，最大开关工作频率500kHz
• 支持各种电源拓扑(Buck, Boost, Half-Bridge)
• 内置栅极驱动用隔离电源，可通过可变电阻调整(+12V～+23V)
• 可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
• 可防止上下臂同时导通，内置过电流保护功能(DESAT, OCP)
• 除了TO-247-4L外，还有TO-247-3L的通孔，可在同一评估板上进行对比评估
• 单一电源(+12V工作)
• 可进行最大150A的双脉冲测试，最大开关工作频率500kHz
• 支持各种电源拓扑(Buck, Boost, Half-Bridge)
• 内置栅极驱动用隔离电源，可通过可变电阻调整(+12V～+23V)
• 可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
• 可防止上下臂同时导通，内置过电流保护功能(DESAT, OCP)
2.3 逻辑框图如下，
对应如下的板载资源，开关和按键如下，
罗姆第三代SiC MOSFET功率元器件为沟槽式结构，具有高速开关、低导通电阻的特点，寄生二极管的反向恢复工作特性更佳、功率损耗大幅降低，开关损耗降低73%。可广泛应用于太阳能功率调节器、电源、车载(EV/PHEV)用充电器和DC/DC转换器等，助力工业设备和汽车领域实现节能和小型化。
具体的型号是罗姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)。
3. 评估评测的方法和目标
3.1 开发板的实物
收到的开发板正面图，
反面图，
3.2 SiC芯片
同提供了2种各2个芯片，通过替换，可以用来进行半桥回路的测试。
4. 小结
4.1 对应的原理分析需要参照如下电路图
功能比较复杂，而且各种保护和检测回路比较完善，是一个高性能高参数的评估板。
4.2 重要参数
这个SiC芯片最具吸引力的是高性能参数，
最高可以耐压1200V，足以胜任多数的工频电压和汽车工作电压，显示出在新能源汽车，充电桩等的快速应用。
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