前言：半导体原料共经历了三个发展阶段：

• 第一阶段是以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体原料；
  
• 第二阶段是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；
  
• 第三阶段是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe）等宽带半导体原料为主。
  

       在材料领域的第一代，第二代， 第三代 并不具有“后一代优于前一代”的说法。国外一般会把氮化镓、碳化硅等材料叫做宽禁带半导体；把氮化镓、氮化铝、氮化铟和他们的混晶材料成为氮化物半导体、或者把氮化镓、砷化镓、磷化铟成为III-V族半导体。我国采用的第三代半导体材料的说法是与人类历史上的由半导体材料大规模应用带来的三次产业革命相对应。目前，第三代半导体正在高速发展，第一、二代半导体也仍在产业中大规模应用，发挥第三代半导体无法替代的作用。

       那么第三代半导体相较第一代、第二代有哪些进步？这三代半导体之间有什么技术区别？为何氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半导体中备受追捧？

• 兴起时间：二十世纪五十年代；
  
• 代表材料：硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。
  
• 历史意义：第一代半导体材料引发了集成电路（IC）为核心的微电子领域迅速发展。
  

       由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低，Si 在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。但第一代半导体具有技术成熟度较高且具有成本优势，仍广泛应用在电子信息领域及新能源、硅光伏产业中。

• 兴起时间：20世纪九十年代以来,随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。
  
• 代表材料：第二代半导体材料是化合物半导体；如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
  
• 性能特点：以砷化镓为例，相比于第一代半导体，砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性，因此广泛应用在主流的商用无线通信、光通讯以及国防军工用途上。
  
• 历史意义：第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起，还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。如相比于第一代半导体，砷化镓（GaAs）能够应用在光电子领域，尤其在红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。
  

       从21世纪开始，智能手机、新能源汽车、机器人等新兴的电子科技发展迅速，同时全球能源和环境危机突出，能源利用趋向低功耗和精细管理，传统的第一、二代半导体材料由于自身的性能限制已经无法满足科技的需求，这就呼唤需要出现新的材料来进行替代。

• 起源时间：美国早在1993年就已经研制出第一支氮化镓的材料和器件，而我国最早的研究队伍——中国科学院半导体研究所在1995年也起步该方面的研究，并于2000年做出HEMT结构材料。
  
• 代表材料：第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg》2.3eV）半导体材料。
  
• 发展现状：在5G通信、新能源汽车、光伏逆变器等应用需求的明确牵引下，目前，应用领域的头部企业已开始使用第三代半导体技术，也进一步提振了行业信心和坚定对第三代半导体技术路线的投资。
  
• 性能分析：与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度(>2.2eV)、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。
  

       第三代半导体中，SiC 与 GaN 相比较，前者相对 GaN 发展更早一些，技术成熟度也更高一些；两者有一个很大的区别是热导率，这使得在高功率应用中，SiC占据统治地位；同时由于GaN具有更高的电子迁移率，因而能够比SiC 或Si 具有更高的开关速度，在高频率应用领域，GaN具备优势。

       从下表常用的“优值（Figure of Merit, FOM）”可以清晰地看出，SiC和GaN相较于前两代半导体材料在功能与特性上有了巨大的提升。

       GaN和SiC在材料性能上各有优劣，因此在应用领域上各有侧重和互补。如GaN的高频Baliga优值显著高于SiC，因此GaN的优势在高频小电力领域，集中在1000V以下，例如通信基站、毫米波等。SiC的Keye优值显著高于GaN，因此SiC的优势在高温和1200V以上的大电力领域，包括电力、高铁、电动车、工业电机等。在中低频、中低功率领域，GaN和SiC都可以应用，与传统Si基器件竞争。

       GaN器件主要包括射频器件、电力电子功率器件、以及光电器件三类。GaN的商业化应用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直接带隙特性和光谱特性，相关产业已经发展的非常成熟。射频器件和功率器件是发挥GaN宽禁带半导体特性的主要应用领域.

       应用优势：体积小、高频高功率、低能耗速度快；5G通信将是GaN射频器件市场的主要增长驱动因素。

       5G基站会用到多发多收天线阵列方案，GaN射频器件对于整个天线系统的功耗和尺寸都有巨大的改进。在高功率，高频率射频应用中，获得更高的带宽、更快的传输速率，以及更低的系统功耗此外，GaN射频功率晶体管，可作为新的固态能量微波源，替代传统的2.45GHz磁控管，应用于从微波炉到高功率焊接机等消费电子和工业领域。

       2017年全球功率半导体市场规模为327亿美元，预计到2022年达到426亿美元。工业、汽车、无线通讯和消费电子是前四大终端市场。

       SiC从上世纪70年代开始研发。2001年SiCSBD商用，2010年SiCMOSFET商用。SiCIGBT目前还在研发中。SiC能大大降低功率转换中的开关损耗，因此具有更好的能源转换效率，更容易实现模块的小型化，更耐高温。

       SiC功率器件的主要应用：智能电网、交通、新能源汽车、光伏、风电；新能源汽车是SiC功率器件市场的主要增长驱动因素。目前SiC器件在新能源车上应用主要是功率控制单元(PCU)、逆变器，DC-DC转换器、车载充电器等方面。

2017年全球SiC功率半导体市场总额达3.99亿美元。预计到2023年，SiC功率半导体的市场总额将达16.44亿美元。

       第一、二代半导体技术长期共存：现阶段是第一、二、三代半导体材料均在广泛使用的阶段。为什么第二代的出现没有取代第一代呢？第三代半导体是否可以全面取代传统的半导体材料呢？

       那是因为Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

       第三代有望全面取代：第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

       新基建为国内半导体厂商提供巨大发展机遇：我国在第三半导体材料上的起步比较晚，且相对国外的技术水平较低。这是一次弯道超车的机会，但是我国需要面对的困难和挑战还是很多的。

       4月20日，国家发改委首次官宣“新基建”的范围，正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。“新基建”作为新兴产业，一端连接着不断升级的消费市场，另一端连接着飞速发展的科技创新。值得注意的是，无论是5G、新能源汽车还是工业互联网等，“新基建”各个产业的建设都与半导体技术的发展息息相关。例如：以氮化镓(GaN)为核心的射频半导体，支撑着5G基站及工业互联网系统的建设；

       以碳化硅(SiC)以及IGBT为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设；以AI芯片为核心的SOC芯片，支撑着数据中心、人工智能系统的建设。

       不难看出，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。在“新基建”与国产替代的加持下，国内半导体厂商将迎来巨大的发展机遇。