9月17日，成都海威华芯科技有限公司（以下简称：海威华芯）发布公告，投资不低于100亿元，主要面向SiC、GaN领域。

海威华芯发布“开启跨越式发展计划投资遴选之公告”，公司决定启动跨越式发展新项目落地工作，整合符合国家及产业政策的区域的上下游产业链，包括但不限于：遴选与公司跨越式发展战略相匹配的区域区位、比选各地各区政府的土地、基建、设备、资金、补贴、信贷和人才等相关条件及配套政策；

公司遴选增量投资项目落地的范围包括但不限于：川渝经济圈、环渤海区、大湾区、长三角等符合国家及产业政策的区域。

据悉，项目拟投资不低于100亿元，主要面向新能源汽车领域的车规碳化硅SiC SBD&MOSFET芯片、光电类VECSEL芯片、氮化镓 GaN 快充与氮化镓GaN节能芯片、氮化镓 GaN基站射频类芯片等现在和未来应用周期长、应用市场广泛的重要领域。

海威华芯表示，过去三年公司业务收入持续倍增，截至目前，满足科创板申请上市企业的若干条件。


据介绍，海威华芯成立于2010年，总投资已超过25亿，2021年融资后，公司为无实际控制人结构企业。

海威华芯拥有先进的GaAs集成电路制造技术和生产设备，其打造的“六英吋GaAs集成电路Foundry线”是国家支持的重点产业项目。如今海威华芯已建成国内第一条6英寸氮化镓半导体晶圆生产线，具备氮化镓600片/月的晶圆制造能力。

今年6月，海威华芯通过增资扩股方式引入世界500强企业——正威金控，增资金额约为12.88亿元，其中 6.19亿元计入注册资本，正威金控采用现金方式增资入股。

本次增资完成后海威华芯注册资本为18.2亿元，正威金控持有海威华芯部分股权。

文稿来源：化合物半导体市场