STH240N10F7-6是一款N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性：
1.漏源极电压（Vdss） : 100V
2.电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 180A（Tc）
3.市场上最低的RDS(on);0.002 Ohm典型值,
提高系统效率，使设计更加紧凑
4.针对EMI抗扰性优化了Crss/Ciss比
5.坚固的抗雪崩能力
应用领域：
电信或计算系统
太阳能逆变器
电机控制
汽车应用
STH240N10F7-6详情.jpg
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