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众所周知，目前国内芯片制造能力最强的中芯国际，其工艺制程在2019年就达到了14nm，甚至还有很多网友表示，可能早有了12nm等，只是秘而不宣。
众所周知，目前国内芯片制造能力最强的中芯国际，其工艺制程在2019年就达到了14nm，甚至还有很多网友表示，可能早有了12nm等，只是秘而不宣。
当然，这种没对外公开的，我们就不讨论了，有没有，谁也不清楚，我们就只能当他没有，因为没对外宣布的话，肯定是无法大规模量产的。
也正因为有了14nm工艺，所以很多网友表示，其实中国芯并不是特别怕制裁，因为目前全球28nm以上工艺的芯片，都占75%以上，而14nm以上工艺的芯片，至少占了80%以上。
已经实现了14nm后，就算被制裁，也能满足80%以上的芯片制造，再加上3D封装，Chiplet、芯片堆叠等技术，可以部分弥补工艺带来的影响，说不定用多块14nm的芯片进行堆叠封装后，能够媲美7nm、5nm呢。
说真的，想法很好，但大家要认清一个现实，那就是我们的真实芯片制造能力是建立全部国产化的设备上的，如果建立在进口的设备上的，那么这种能力是空中楼阁，一旦被全面制裁，直接就会趴下。
那么我们的真实芯片能力是多少？我说一个数字，可能大家都无法接受，那就是只有90nm。
这个90nm是怎么来的，是基于当前的全国产半导体设备后，能够实现的芯片制造工艺，而这个工艺，取决于当前最落后的国产设备。
这个最落后的国产设备，相信我不用多说，大家都清楚，那就是光刻机，目前国产光刻机的能力就是90nm。
估计很多人还是不信，说不是很多自媒体说通过2次曝光可以实现45nm，然后3次曝光可以实现22nm，怎么变成90nm了？
自媒体的话，就别太相信了，如下图所示，目前ASML的ArF光刻机最高都只能够实现精度65nm，必须要进入到ArFi光刻机，才能低于65nm以下，目前国产光刻机还是这种ArF光刻机，你就知道所谓的22nm有多假了。
事实上，除了光刻机还在90nm外，国内还有一些半导体设备的工艺，处于65nm工艺的，比如涂胶显影设备，还有光刻胶等等。
所以说真的，一旦像美国和西方国家制裁俄罗斯一样，那么我们的真实芯片能力，就会只有90nm了，而不是14nm。
所以大家要保持清醒，目前形势紧张，只有全国产化的能力，才是真正属于自己的，依赖进口设备的能力，关键时刻并不顶用，你觉得呢？
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一下业内和非业内的看法
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