PIN结相对于PN结有更快的恢复时间，N型外延内的载流子会比传统PN结器件消失得更快，即可形成低正向导通压降和快关断时间的半导体器件。固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性。
快恢复二极管压降偏高是导致快恢复二极管应用电路常见发热原因之一。快恢复二极管不同于整流桥产品，随着耐压的渐高，快恢复本身的压降会有明显升高。一般200V耐压快恢复二极管正向压降是1.05V,而400V耐压的快恢复正向压降就能提升到1.5V左右，压降放大之后功耗就会加大，自然的就会引起温度的升高。所以在选择快恢复二极管参数时，一定要精准计算电路参数情况，以便于能更加合理的选择快恢复耐压的参数。
二极管规格书下载：
M1 THRU M7 SMA 220426_看图王.pdf
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