AMEYA360：罗姆确立超高速驱动控制IC技术_方案/元器件供求-面包板社区

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AMEYA360：罗姆确立超高速驱动控制IC技术

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发表于 2023-6-6 15:02:39

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ROHM罗姆确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。

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　　在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

　　目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

　　未来，ROHM将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用的易用性，积极开发解决社会课题的产品。

　　日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：

　　“多年来，GaN作为能够实现节能的功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件的量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的控制IC开发。这对于促进GaN器件的普及而言，可以说是非常重要的一大步。要想真正发挥出功率半导体的性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，日本有包括ROHM在内的很多极具影响力的企业。从我们正在研究的GaN-on-GaN晶圆技术到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模块，需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。”