在实际设计过程中，变压器是存在漏感的，这个是无法避免的。当MOSFET导通时刻，漏感会导致漏极和源极之间的电压产生一个很大的尖峰，如果这个电压尖峰的产生会让DS两端电压超过MOSFET的耐压，会让MOSFET损坏，从而让电源不能正常工作。因此我们选择采用RCD钳位电路吸收变压器漏感产生的能量。因此分析实际的有RCD钳位存在的反激模态图是必要的。
以下为RCD钳位下的反激模态图：
图1.1绘制波形自上而下依次为：
(a) 原边MOSFET的驱动电压波形；
(b) 钳位电容C1波形；
(c) 变压器一次侧等效电容电压波形；
(d) 带寄生参数的原边MOSFET的漏极和源极两端电压波形；
(e) 原边电流波形；
(f) 副边电流波形；
(g) 输出电流示意图。
(1) 一阶段（t0-t1）：MOSFET未开通时，变压器等效电容Cs没有储能，MOSFET上电容C储能也为0。当t0时刻，MOSFET导通，寄生电容通过开关管充电，此电容两端电容开始上升。而因为激磁电感Lm存在寄生电容，所以导致变压器初级电流产生一个较大的尖峰电流。当t1时刻，Cs两端电压等于输入电压大小时，MOSFET完全导通，变压器一次侧电流开始上升。
(2) 二阶段（t1-t2）：MOSFET在t1时刻完全导通，二极管D1、D2因为反偏而处于截止状态，钳位电容C1通过电阻R放电，电容两端电压下降。输入电压Vin加在激磁电感两边，变压器一次侧电流呈线性上升，储能随着增加，到t2时刻，MOSFET关断，变压器一次侧电流Ip上升到最大值。
(3) 三阶段1（t2~t2-1）：从t2时刻开始，MOSFET关断，流过开关管的电流id迅速减小并快速下降到0。同时，此时二极管D2依旧没有导通。此时，流过变压器一次侧的电流Ip先给MOSFET的漏极和源极两引脚间的寄生电容Coss充电，因为Coss很小，MOSFET两端电压快速上升，激磁电感储存的很少的一部分能量转移到Coss。到t2-1时刻，MOSFET两端电压上升到Vin+Vf，即输入电压与反射电压之和。而钳位电容继续通过电阻R释放能量。
(4) 三阶段2（t2-1~t2-2）：t2-1时刻，MOSFET两端电压上升到Vin+Vf后，变压器二次侧二极管D2开始导通，变压器一次侧的能量耦合到二次侧，并开始向负载传递能量。变压器二次侧反馈电压：
（VO为输出电压，VD为二极管D2导通压降）。由于变压器存在漏感，那么可以将变压器一次侧等效为反射电压和变压器漏感串联，继续向Coss充电。到t2-2时刻，MOSFET两端电压上升到Vin+VCV时刻，此时，钳位电容仍然通过电阻R放电。此阶段持续时间很短，可以认为变压器一次侧峰值电流对Ip对Coss充电。
(5) 三阶段3（t2-2~t2-3）：t2-2时刻，MOSFET两端电压上升到Vin+VCV，二极管D1开始导通。此时，等效的反射电压源和变压器漏感串联继续向钳位电容C开始充电，钳位电容C电压开始上升，由于钳位电容C的容量比Coss容量大，因此此时MOSFET漏极和源极两端电压继续缓慢上升。此时变压器一次侧电流开始下降，直到t2-3时刻，电流下降到0，二极管D1断开，MOSFET漏极和源极两端的电压上升到最大值Vin+VCP。
(6) 四阶段（t2-3~t4）：t2-3时刻，二极管D1关断，由于MOSFET漏极和源极的寄生电容Coss的电压为Vin+VCP>Vin，因此会有反向电压加在变压器两端，所以，Coss和变压器的激磁电感的漏感Llk开始谐振，谐振频率为：
谐振期间，MOSFET的漏极和源极两端的电压开始下降，Coss中的一部分能量将转移到变压器二次侧，另一部分能量将返回到输入电源，直到t3时刻谐振结束，漏极和源极的电压稳定在Vin+Vf，一直稳定到t4时刻，此时，变压器二次侧电流下降到0。此阶段二极管D1关断，钳位电容继续向电阻R释放能量，其电压继续下降。
(7) 五阶段（t4~t5）：在t4时刻，二极管D2电流减小到0，D2关断，对原边的电压箝位消失。此时MOSFET的寄生电容和绕组分布电容放能，与原边的激磁电感、漏感均产生谐振，出现上图所示电压电流波动、谐振频率为：
因为f1>f2，所以该阶段波形看着比较大。
总体来讲，RCD参数的设计确定是需要严格计算的。
2. RCD钳位参数的确定
在RCD钳位状态下，原边的MOSFET漏极和源极的波形如下图所示：
图2.1 RCD状态下的VDS波形
在设计时，我们应该重点考虑抑制电压尖峰，因此钳位电阻R和钳位电容C取最大输入电压。
如图2.1所示，可以看到钳位电压Vclamp由尖峰电压Vspike和反射电压VOR组成，VMR的值为主MOSFET的漏源极耐压的10%，因此可以得出下面这个公式：
钳位电阻R消耗功率为：
然而电阻实际消耗的能量为：
由此可以计算出钳位电阻R的值为：
电阻上面消耗的能量都来自于钳位电容，钳位电容C的计算公式为：
来源：MPS
residual current operated protective device，简称为RCD，简称剩余电流保护器
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