**性能和核心：**
- ARM Cortex-M7处理器，具有6级超标量流水线和分支预测功能。
- 最高操作频率可达600 MHz。
- 可选的浮点单元（FPU）用于单精度和双精度运算。
- 内存保护单元（MPU）增强了应用的安全性。
**内存：**
- 内置高达3840 KB的闪存和1024 KB的SRAM。
- SRAM被分为AXI SRAM（512KB）、共享的ITCM/DTCM/AXI SRAM（512KB）以及备份SRAM（4KB）。
**电源管理：**
- 供电电压范围为1.71V到3.6V。
- 多种省电模式以优化功耗。
**外设：**
- 高级控制外设，包括多达十二个16位定时器，两个16位PWM高级定时器，和四个32位通用定时器。
- 通信接口丰富，包括六个SPIs、两个OSPIs、四个I2Cs、四个USARTs和四个UARTs。
- 两个14位4 MSPS的ADC和一个12位5.3 MSPS的ADC，用于模拟接口。
- 特殊外设如数字摄像机接口（DCI）、外部存储器控制器（EXMC）接口、TFT-LCD界面（TLI）等。
**总线架构：**
- 64位和32位的AXI和AHB总线接口，提供对内存和外设的访问。
- 使用哈佛架构组织内存，允许指令和数据的同时访问。
**SRAM区块：**
- **AXI SRAM**：这是一块通用的存储区，支持各种数据宽度的访问，适用于存储程序数据和缓存内容。
- **ITCM (Instruction Tightly-Coupled Memory)**：ITCM专门用于存储执行代码，它能提供高速的指令访问，适合存放关键代码和需要快速执行的指令。
- **DTCM (Data Tightly-Coupled Memory)**：DTCM用于存储快速访问的数据，它适用于频繁访问的数据处理任务。
- **备份SRAM (BKPSRAM)**：这是一块在主电源关闭后也能保持数据的RAM，适合存储关键配置和状态信息。
GD32H759I中的SRAM区域有不同的用途和特点：
片上SRAM（AXI SRAM）：它有512KB的容量，支持字节、半字、字、双字访问。这是通用的SRAM，可用于存储程序数据和缓存内容。
备份SRAM（BKPSRAM）：有4KB的容量，主要用于存储在电源关闭后也需要保留的重要数据。它位于备份域中。
共享RAM：由ITCM、DTCM、AXI SRAM共享的512KB RAM。可以配置为指令紧凑型存储器（ITCM）和数据紧凑型存储器（DTCM），用于存放高速访问的数据和指令。
SRAM0和SRAM1：各16KB的独立SRAM区域，通常用于特定的存储需求。
使用这些不同的区域时，需要考虑它们的特点和访问速度。例如，对于需要快速访问的数据或指令，可以使用ITCM和DTCM区域。对于不常改变的数据，可以使用备份SRAM，因为它即使在电源关闭后也能保留数据。片上SRAM（AXI SRAM）可以用于通用的程序数据存储，因为它提供了较大的容量和灵活的访问类型。
配置这些区域时，需要根据应用的需求来分配内存，同时考虑到效率和功耗的平衡。例如，常驻内存中的关键性能代码可以放在ITCM中，而DMA传输的数据可以放在AXI SRAM中，以此获得最优的性能。备份SRAM通常用于存储关键配置数据或小规模的重要数据，如加密密钥或配置参数。
0x20000000: 这通常是内部RAM（SRAM）的起始地址。在ARM Cortex-M系列微控制器中，这个地址是标准的内部RAM起始地址。
外部SDRAM 由 EXMC 管理 ,外部SDRAM 起始的地址（0xC0000000）
**应用场景：**
- 工业控制系统，因为它的快速处理能力和强大的定时器外设。
- 消费电子和便携式设备，由于其功率效率。
- 人机界面、安全系统和汽车导航，需要快速数据处理。
- 物联网（IoT）应用，鉴于其丰富的通信接口集合。
GD32H759I是一个多功能的MCU，可以满足广泛的应用需求，这包括高速计算、复杂的数字信号处理和多接口通信，同时还保持高效的电源管理。
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