1、XAUI接口（读作“Zowie”）其中的“AUI”部分指的是以太网连接单元接口（Ethernet Attachment Unit Interface）。“X”代表罗马数字10，它意味着每秒万兆(10Gbps)。
我们的设备宣扬的每秒40Gbps是因为在报文输出的时候使用了4个 XAUI接口
  2、
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存 ，
DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）
  3、
PCI-Express是最新的总线和接口标准
  4、
RXAUI（收缩的XAUI）是一种两通道6.25G XAUI标准，可以将10G以太网的SerDes通道数最小化。
  5、
UART是一种通用串行数据总线，用于异步通信。该总线双向通信，可以实现全双工传输和接收。
  6、
JTATG接口
标准的JTAG接口是4线：
JTAG
JTAG[1]
  TMS、TCK、TDI、TDO,分别为模式选择、时钟、数据输入和数据输出线。 相关JTAG引脚的定义为：TCK为测试时钟输入；TDI为测试数据输入，数据通过TDI引脚输入JTAG接口；TDO为测试数据输出，数据通过TDO引脚从JTAG接口输出；TMS为测试模式选择，TMS用来设置JTAG接口处于某种特定的测试模式；TRST为测试复位，输入引脚，低电平有效。GND
  7、
  NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
  8、NOR和NAND比较
  l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、 NAND的写入速度比NOR快很多。
3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。
  NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC(多媒体存储卡Multi Media Card)存储卡市场上所占份额最大。
  9、
TWSI（Two Wire Serial Interface）
应用处理器可以通过这个接 口去打开或关闭某些电源输出，设置它们的电压，访问内部寄存器和多种测量数据(包括Fuel Gauge)。
  10、
RGMII/MII千兆网接口
  11、
Icache：指令高速缓存
Dcache：地址高速缓存
  12、PLL：
锁相环，用来统一整合时钟脉冲信号，使内存能在正确的频率下正确的存取资料。
锁相环原理：
锁相环是一种反馈电路，其作用是使得电路上的时钟和某一外部时钟的相位同步。PLL通过比较外部信号的相位和由压控晶振（VCXO）的相位来实现同步的，在比较的过程中，锁相环电路会不断根据外部信号的相位来调整本地晶振的时钟相位，直到两个信号的相位同步。在数据采集系统中，锁相环是一种非常有用的同步技术，因为通过锁相环，可以使得不同的数据采集板卡共享同一个采样时钟。因此，所有板卡上各自的本地80MHz和20MHz时钟的相位都是同步的，从而采样时钟也是同步的。因为每块板卡的采样时钟都是同步的，所以都能严格地在同一时刻进行数据采集。
  来源：参考http://blog.csdn.net/u013370834/article/details/53002725