前两天分析了一个正点原子的拆解，和一个立创上的便携式电烙铁的分析，今天主要是对他们的烙铁加热部分的电路进行对比。

首先是立创上的电路，如下：
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是使用一个NMOS（一定要注意Vds耐压要大于Vbus）去控制PMOS，VBUS是诱骗出来的电压。
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当HEAT为高电平时，PMOS导通，当HEAT为低电平时，PMOS截止。这种驱动方式会相对推挽驱动来说慢一些，因为对Cgs的充放电速度会被R8和R9的大小所限制，而这会影响到PMOS的导通速度，从而影响MCU控制的速度。
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然后看正点原子的硬件拆解图（如上图），用了一个NMOS，一个PNP，一个NPN，一个PMOS。虽然没有实物图，但是也大致画了一下原理图，是一个推挽结构，大致如下：
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当EN为高电平时，Q1导通，然后三极管基极电压约等于0V，然后三极管Q2截止，三极管Q3导通，通过红色路径给Q4的Cgs充电，当Vgs>Vgs（th）时Q4的PMOS导通，给电烙铁加热。由于是通过三极管进行充电，所以这个PMOS的导通速度是很快的。
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当EN为低电平时，Q1截止，然后三极管基极电压约等于VCC_PD，然后三极管Q2导通，三极管Q3截止，通过红色路径给Q4的Cgs放电，当Vgs<Vgs（th）时Q4的PMOS截止，电烙铁停止加热。由于是通过三极管进行放电，所以这个PMOS的截止的速度也是很快的。
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个人认为，推挽的方式可以让MOS的导通和关断速度更快，也可以减小米勒平台，在对导通和关断速度要求比较高的时候推荐使用。