一、核心工艺流程
晶圆制备
通过高纯度多晶硅提纯、单晶硅生长（直拉法或区熔法）及切片抛光，形成半导体制造的基础衬底材料（直径可达12英寸）。
氧化工艺
在晶圆表面生成二氧化硅绝缘层，采用热氧化法（干法/湿法）或电化学阳极氧化技术，温度范围800-1200°C，氧化层厚度可精确控制至纳米级。
光刻工艺
涂胶：通过离心旋涂技术（1000-5000 RPM）均匀覆盖光刻胶，厚度1-200微米；
曝光：利用掩模版（含铬图案玻璃板）及光刻机（DUV/EUV）转移电路图案，分辨率达纳米级；
显影：通过化学溶液溶解曝光区（正胶）或未曝光区（负胶），完成图形化。
蚀刻工艺
分为湿法蚀刻（化学溶液）和干法蚀刻（等离子体），用于去除未被光刻胶保护的材料，形成三维结构。
掺杂工艺
通过离子注入或扩散技术，将硼、磷等掺杂剂注入晶圆，形成N型/P型半导体，控制导电特性。
薄膜沉积
采用CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）或ALD（原子层沉积）技术，生成导电金属层或绝缘介质层。
化学机械抛光（CMP）
通过研磨液与抛光垫组合实现晶圆表面平坦化，消除多层结构的高度差。
封装测试
切割晶圆后，通过引线键合、倒装芯片（Flip Chip）等技术封装，并进行电性测试确保良率。
二、关键工艺技术要点
极紫外光刻（EUV）普及：2025年全球EUV光刻机装机量预计超200台，支撑3nm及以下制程量产；
原子级制造技术：ALD设备市场年增速超25%，用于沉积高k介质/二维材料；
异构集成工艺：晶圆级封装（WLP）、芯粒（Chiplet）技术推动系统级性能突破。
（注：以上内容综合自半导体制造全流程技术文档及行业最新动态，覆盖前端制造至后端封装关键节点）
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