在电子系统设计中，MDD稳压二极管（Zener Diode）作为经典的电压钳位和稳压元件，广泛应用于电源电路、电压参考、过压保护等场景。为了确保其在电路中的稳定运行与长寿命，深入理解其关键极限参数——击穿电压（Vz）、稳压电流（Iz）与功耗能力（Pz）——显得尤为重要。本文将从这三个核心参数出发，解析它们之间的相互关系及如何在实际设计中进行合理权衡与选型。

一、击穿电压Vz：决定稳压基准的核心指标

击穿电压（Zener Voltage）是指稳压二极管处于反向击穿状态时，其两端维持稳定电压的特性参数，常见范围从2.4V到200V以上。Vz值通常通过控制PN结掺杂浓度来设定，并具有一定的温度漂移特性。

设计考量：

应根据应用电路的稳压需求选择合适的Vz值。如MCU的电压钳位选用5.1V或3.3V；电源过压保护可选用12V或24V。

注意Vz与温度的关系：低电压的稳压管以齐纳击穿为主，温度系数为负；高电压稳压管以雪崩击穿为主，温度系数为正。因此，在需要精确稳压的场合，建议使用温度系数较低的稳压电压段（如5.1V附近）。

二、稳压电流Iz：确保稳压工作的关键电流范围

稳压二极管需要在一定的反向电流范围内工作，才能保证其稳压特性。Iz通常分为：

最小稳压电流（Izk）：达到Vz所需的最小电流；

最大稳压电流（Izm）：稳压管在不超过额定功耗下所允许的最大反向电流。

设计考量：

Iz必须大于Izk，否则稳压管可能进入“软击穿”区域，导致输出电压漂移；

同时，Iz也不能超过Izm，否则将引起功耗过高或热击穿。

举例：某稳压二极管Vz=5.1V，Izk=1mA，Pz=500mW，则其Izm=500mW/5.1V≈98mA。在电路设计中，应控制其工作电流在5~70mA之间，以确保稳定运行并留有足够裕量。

三、功耗能力Pz：热管理与可靠性的衡量标准

功耗能力（Zener Power Dissipation）是指稳压管在稳压工作状态下所能承受的最大功率，通常与封装形式密切相关。

常见封装与功耗值如下：

DO-35：功耗约500mW

DO-41：功耗约1W

SOD-123/SOD-323：功耗250~500mW

设计考量：

Pz=Vz×Iz，设计中需要根据最大负载电流与稳压电压计算是否超出稳压管的功耗能力；

考虑环境温度与PCB散热条件，需要留出降额系数，一般建议按60~70%最大功耗使用；

热阻（RθJA）也是关键参数，决定散热效率，若散热设计不佳，即便电流未超限，稳压管也可能热失效。

四、三者的权衡与优化建议

在实际电路设计中，Vz、Iz与Pz是相互耦合的，必须统一考虑。例如：

负载电流大→需要更大Iz→需要更高Pz→选择更大封装或散热器件；

负载轻，但精度高→需要接近最优稳压区间的Vz与Iz；

对温度敏感应用→选择温漂小的Vz段或并联热补偿元件；

此外，还应考虑限流电阻的配合设计。限流电阻需保证最大输入电压时，稳压管电流不超过Izm，最小输入电压时，电流大于Izk。如下公式供参考：

R限流=(Vin_max-Vz)/Izm←确保不烧管

R限流=(Vin_min-Vz)/Izk←确保稳压有效

在Vin波动较大的场合，建议选择稳压带宽较大的稳压管，并适当加大功耗裕度。

MDD稳压二极管虽小，但在电路设计中扮演着电压基准和过压防护的重要角色。合理选型时，必须综合考虑击穿电压、稳压电流及功耗能力这三大极限参数，并结合封装、散热与工作环境因素进行系统评估。