全球DRAM大厂进行产能调整带动价格止跌反弹，日前再度传出韩系半导体大厂21纳米制程报废3~5万片，导致产能缺口再扩大，存储器大厂酝酿大手笔调涨合约价，4GB模组将从12.5美元调涨至14美元，涨幅超过10%，下游模组厂已闻风将现货价调高至13.5美元，然也象征存储器转进先进制程难度恐越来越高，让大陆有机会急起直追！
  全球DRAM产业朝三条脉络发展，第一是转进高阶制程速度直线前进，陆续转进18纳米、20纳米和21纳米制程技术；第二是持续朝产品多元化布局迈进，陆续分散在标准型存储器PC DRAM和低功耗移动式存储器LPDDR/Mobile RAM；第三是大陆存储器部落的崛起，对全球存储器产业埋下不确定因子。
  受惠苹果新款手机问世前备货，加上大陆中高阶智能型手机也消化不少货源，DRAM价格止跌反弹，带动现货价和合约价缓步调涨，这点让上半年财报亏损又全球大裁员的美光有喘一口气的机会。

日前再度传出，韩系半导体大厂21纳米DRAM制程有报废晶圆约3~5万片产能，市场一度传出是良率不佳导致，但业界透露，这次应该与良率无关，因为良率低不致于让全数产能都报废，应该是晶圆厂的产线出问题所致。
  存储器业者表示，下游模组厂近日已闻风调涨DRAM现货价，部分4GB模组现货价已调高至13.5美元，而DRAM大厂也酝酿大涨合约价，目前4GB模组合约价约12.5美元，将调涨至14美元，换算涨幅超过10%。
  半导体业者分析，虽然现在是三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三大厂抗衡，但以市占率来看，根本是韩系业者的封闭式游戏，近期美光状况又不佳，等于是整个存储器产业配合的中、下游业者都必须看韩系业者脸色，让业者大叹生意越来越难做。
  因此，半导体产业各界对于大陆存储器势力的崛起，有着不同的解读。部分业者认为，台湾注定缺席主流NAND Flash芯片制造端，也必须承认在主流DRAM芯片生产端是无力回天，因此，大陆这股存储器技术势力的崛起，其实可以抗衡韩国势力的独大，台厂再从中找机会、卡商机。
  DRAM技术往高阶发展的速度相较逻辑制程缓慢许多，目前半导体大厂推动18纳米、20纳米和21纳米的高阶DRAM制程，也在研发1x和1y制程技术世代，但面临的挑战不少，导致技术制程演进一直在放缓，这也是让大陆存储器产业有时间追赶的原因之一。
  另外，大陆智能型手机百家争鸣，华为、OPPO、小米等品牌势力崛起，加上AR手机游戏大为盛行，都是消化Mobile RAM产能的一大市场。
  随着苹果新一代iPhone高阶版将推动至3GB DRAM容量，大陆品牌厂一向喜欢不计成本打规格战，未来的高阶机种也会跟进从2~3GB起跳，带动另一波Mobile RAM需求热潮，这也是上半年半导体厂陆续调整投片组合，提升Mobile RAM投片量的主因之一。
    来源： Digitimes