图1所示的简单晶体管测试器让你识别晶体管的型号，帮助检测晶体管的发射极、集电极和基极。它能检查待测晶体管三个端子T1、T2、T3之间电流方向的所有可能组合。
本电路使用两个CD4022或CD4017计数器，即IC1和IC2；一个单闸门方波振荡器G4；一个CD4011四重与非门G1至G3。一对发光二极管与每个测试端子串联用来指示电流方向。发光二极管的颜色直接表明该晶体管的结边。
图2对了解测试过程提供简单参考。每个测试端子的一对NPN晶体管Q1至Q3和PNP晶体管Q4至Q6将该端子连接到-V或+V，在这些端子之间建立所需的电位差。该电路在这些端子之间产生所有可能或所需的+V和-V组合，以此建立连接关系。Q7和Q8用作电压转换器，而G1至G3是禁止器，防止T1至T3同时在+V和-V情况下发生冲突。
当你把一个功能完好的晶体管插入这些测试端子，它只限制某些方向的电流流动。一系列发光二极管显示这些方向，并且指明晶体管的类型，例如，发光二极管发出红-绿-红光，表明是一个NPN型晶体管，发出绿-红-绿光，表明是一个PNP型晶体管。
借助于这个道理，你能容易地选择晶体管的基极。对于发射极和集电极之间的差别，你必须了解的特性是在反向偏置情况下，基极-发射极结比基极-集电极结更容易击穿，这是正常工作情况下的反向偏置。
因为晶体管具有不同的基极-发射极结反向击穿电压，图3所示的电路提供了一个容易改变电源电压的方法。在增加电压下，与发射极连接的两个发光二极管明亮发光，而与集电极连接的两个发光二极管只有一个发光（图2b和d）。一个±4伏的基本电压似乎足以用来检测晶体管的基极或类型。将电源电压从±4伏到±15伏逐渐增加，你能测试各种晶体管的发射极。这个范围为基极-发射极结提供比26伏更大的最大反向击穿电压，考虑到了系列发光二极管的电压降。
本电路经过了测试和工作，然而，测试采用了CD4520计数器和CD4028译码器，因为CD4022/CD4017集成电路无法采用。这种替代不应导致问题，只是电压对准问题。对于CMOS器件逻辑1或逻辑0或多或少的相同。你也能只使用两种电压：±5伏用来检测基极而±15伏用来检测发射极。
附：图2a、图2c分别为正常电压下的NPN和PNP晶体管显示情况，图2b、图2d分别为增加电压下的NPN和PNP晶体管显示情况。
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