shusu

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密集PCB布局中,如何最大限度降低多isoPower器件的辐射

2020-3-24 12:13:52 显示全部楼层
倘若设计中具有多个isoPower器件并且布局非常密集,情况又将如何? 是否仍然能够明显降低辐射?这里,我们将针对此类情况提供一些一般指导原则。 由于内层拼接电容能够构建低电感结构,因此最具优势。在整体PCB区域受限的情况下,采用多层PCB就是很好的方式。采用尽可能多的层数切实可行,同时尽可能多的交叠电源层和接地层(参考层)。图1为一个堆叠示例。

图1.PCB层堆叠示例
埋层(原边3、4层,副边2至5层)可承载电力和接地电流。跨越隔离栅的交叠(例如原边上的第4层GND和副边上的第3层 V Iso)可形成理想的拼接电容。通过多层PCB堆叠可形成多个交叠,从而提高整体电容。为使电容最大,还必须减小参考层之间PCB电介质材料的厚度。
另一个布局技巧就是交叠相邻的isoPower通道的各层。图2显示了一个具有四条相邻通道的示例。

图2.具有交叠拼接电容的四个相邻通道
本示例中,每个输出域与其他域隔离,但是我们仍能利用一些交叠电容。图3显示了这种堆叠,可看到每个isoPower器件可增加电容以及相邻隔离区连接的情况。

图3.具有交叠拼接电容的四个相邻通道
必须确保内部和外部间隙要求符合最终应用。还可使用铁氧体磁珠在任意电缆连接上提供过滤,从而减少可能产生辐射的天线效应。
总结
如何在密集PCB布局中,最大限度降低多个isoPower器件的辐射?请参考以下几个要点↓
  • 最大程度降低每个通道的电源要求
  • 在多个PCB层上构建拼接
  • 采用尽可能多的PCB层切实可行
  • 在各参考层间使用最薄的电介质
  • 在相邻域之间进行连接
  • 确保内部和外部爬电距离仍然符合要求
  • 电缆连接上提供过滤



来源:ADI


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