第三代半导体材料氮化镓（GaN）得发展受世界瞩目，全球磊晶龙头IQE 2020年营收预估将逾1.7亿元英镑，年增逾二成，GaN on SiC（碳化硅基氮化镓）用于5G基础设施。相较其高成本，GaN on Si（硅基氮化镓）获得市场相对看好、将率先进入无线射频（RF）市场，已投入相关研发的台系三五族半导体厂商包括稳懋、宏捷科等，也已就备战状态。
宏捷科指出，GaN制程选择有三种，包括GaN on Sic（碳化硅基氮化镓）、GaN on Si、GaN on Sapphire。
其中，6寸GaN on Sic在各方面表现最佳，然而成本最高，现阶段不适合消费性电子产品。GaN on Sapphire则有散热不佳的问题，相较之下，GaN on Si将有机会率先进入基础建设与高频射频市场。
一般以GaAs（砷化镓）所制作的晶圆要价约1,000～1,200美元／片，但若是以GaN on Sic制作，光是Epi（磊晶）一片就要约7,000～8,000美元，整个制程下来，一片要价恐高达10,000美元，与GaAs相较，差距约8～10倍左右，成本相当昂贵。
此外，SiC基板主要由美系龙头大厂Cree所掌握，几乎是垄断，以致材料取得不易。
GaN on Si目前已有包括台积电在内用以制作快充，现阶段以Power（电源）市场为主，无线通讯的RF（射频）元件则是各界亟欲卡位的未来商机。
包括稳懋、全新、宏捷科、全讯、环宇-KY、太极、中美晶等纷纷着手相关布局，如中美晶携手宏捷科、全新与太极、汉磊集团积极思考如何确保SiC（碳化硅）基板来源。
宏捷科表示，与中美晶合作，正是看好其旗下半导体子公司环球晶圆最有能力提供材料，现阶段已陆续就参数等细节，进行来回调整，期望能在2022年上半年达到量产目标。
文稿来源：工商时报