USB2.0接口ESD保护低电容型瞬态抑制二极管阵列SP3014-02UTG低电容型SP3014-02UTG瞬态抑制二极管阵列，为可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供保护。 SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管，可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中高等级的反复ESD震击而性能不会下降。 SP3014-02UTG具有0.04Ω的动态电阻，为电路和硬件设计师提供了高度优化的箝制器件，能够保护最敏感的集成电路不受ESD等电气瞬态现象的损害。SP3014不仅提供了接近理想状态的砖墙式箝制反应，而且负载电容仅为0.5pF，因此适合多种低速和高速应用。”SP3014-02UTG瞬态抑制二极管阵列具有以下主要优点：• 0.04Ω的极低动态电阻，箝制电压比类似的硅解决方案低50%以上，能保护最脆弱的集成电路不受损害或过早失效。• 强劲的ESD保护性能（±15kV接触放电，±25kV空气放电）让制造商能够提供ESD保护性能超出IEC标准最高等级的产品。• 电容低至0.5pF，可将信号损失降到最低并维持系统性能，减少了设计师对精确走线阻抗模拟器的依赖性。• 小型µDFN-6L封装允许直接在器件下走线，使PCB布局得以简化，同时无需采用可能导致信号损失的短线。应用：USB 2.0、USB 3.0以及1Gb以太网超极本、笔记本电脑、液晶电视、机顶盒、以太网开关、外接硬盘、智能手机、汽车电子产品等等。
SP3014-02UTG :Package：µDFN-6L 43b6c320f2cdde28cd0205b7a483f09e.jpg µDFN-6L (2).jpg
产品类型:
ESD 抑制器/TVS 二极管 1.0pF 80A BI low capacitance
USB2.0接口ESD保护
极性:
Unidirectional
工作电压:
5 V
通道数量:
2 Channel
端接类型:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
uDFN-6
钳位电压:
6.8 V
Vesd - 静电放电电压触点:
15 kV
Vesd - 静电放电电压气隙:
25 kV
Cd - 二极管电容 :
1 pF
Ipp - 峰值脉冲电流:
8 A
常州鼎先电子有限公司13775299578邢思前专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array ESD_00.png