驱动原理图，因为突然回顾以前做过的这个驱动电路，所以记录一下防止遗忘。以下只列出以下主要电路：
二、化简电路再做分析的前提 前提，我们先明确以下知识点，再来把无关器件省略掉，分析主干电路。
- MOS管导通的实质是对GS结电容充电，在上图所示的原理图我在G级串联一个电阻是为了限制充电速度，防止充电过快产生震荡。
- 栅极电阻一般串联一个10欧左右的电阻，GS级之间一般并联一个10K的电阻用来关断期间结电容的放电。
- 与MOS管并联的二极管是不必要的，因为MOS管内部集成了二极管，即体二极管。
三、分析一下自己的理解 < 1 > 引脚说明
< 2 > MOS管的高端驱动和低端驱动 所谓的高边驱动或者低边驱动，指的是在电子电路驱动负载时，当需要控制开关时，开关所处电路的位置。“高”指的是“电源”，“低”指的是“地”。
低边驱动简单的理解为：负载的一端默认与电路的正级即电源保持连接，负载的另一端与开关连接，当开关导通时，负载的另一端与地连接，负载开始工作，当开关与关断时，负载的另一端与地断开，负载停止工作。低边驱动/开关英文：Low Side Drivers，简称为LSD。具体到使用MOS管作为开关的情况的时候，MOS管相对于负载在电势的低端，其中D通过负载接电源，S直接接地。
对于NMOS管，只有当Vgs大于开启电压时，MOS管才能导通。所以当未导通时，S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压，则DS导通，S确定为地电位，此时仍可以保证Vgs大于开启电压，保持DS导通。
对于PMOS管，只有到Vgs小于一个值，MOS才能导通。此时S处于一个不确定的电位。若让
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