techff

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超详细分析电机驱动电路(基于HIP4082)

2021-2-1 11:54:26 显示全部楼层
一、原理图
驱动原理图,因为突然回顾以前做过的这个驱动电路,所以记录一下防止遗忘。以下只列出以下主要电路:
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二、化简电路再做分析的前提 前提,我们先明确以下知识点,再来把无关器件省略掉,分析主干电路。
  • MOS管导通的实质是对GS结电容充电,在上图所示的原理图我在G级串联一个电阻是为了限制充电速度,防止充电过快产生震荡。
  • 栅极电阻一般串联一个10欧左右的电阻,GS级之间一般并联一个10K的电阻用来关断期间结电容的放电。
  • 与MOS管并联的二极管是不必要的,因为MOS管内部集成了二极管,即体二极管。
在不考虑串联的10欧姆左右的电阻以及GS级并联的10K欧姆的电阻,还有MOS管外面另外并联的二极管,电路简化至下图作分析:
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三、分析一下自己的理解 < 1 > 引脚说明 watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L1JlZFZhbGt5cmll,size_16,color_FFFFFF,t_70#pic_center.jpg
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< 2 > MOS管的高端驱动和低端驱动 所谓的高边驱动或者低边驱动,指的是在电子电路驱动负载时,当需要控制开关时,开关所处电路的位置。“高”指的是“电源”,“低”指的是“地”。
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低边驱动简单的理解为:负载的一端默认与电路的正级即电源保持连接,负载的另一端与开关连接,当开关导通时,负载的另一端与地连接,负载开始工作,当开关与关断时,负载的另一端与地断开,负载停止工作。低边驱动/开关英文:Low Side Drivers,简称为LSD。具体到使用MOS管作为开关的情况的时候,MOS管相对于负载在电势的低端,其中D通过负载接电源,S直接接地。
对于NMOS管,只有当Vgs大于开启电压时,MOS管才能导通。所以当未导通时,S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压,则DS导通,S确定为地电位,此时仍可以保证Vgs大于开启电压,保持DS导通。
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对于PMOS管,只有到Vgs小于一个值,MOS才能导通。此时S处于一个不确定的电位。若让
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Lion8788

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JennyYZZ

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