昨日，日本外延片制造商昭和电工宣布，将通过在日本和海外公开募股筹集约1100亿日元资金，所得款项将用于资本投资，以增加半导体材料的生产能力。

其中，约700亿日元将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

昭和电工表示，藉由公募增资、第三者配额增资，以及视需求动向将实施超额配售，预估最高将发行3,519万股新股、约相当于现行已发行股数的2成比重，最高将筹得1093亿日元资金，其中约700亿日元将用于增产半导体材料。
具体来看，昭和电工将投资248亿日元在日本和海外增加用于印刷电路板的“覆铜板”和“感光膜”的生产能力，项目预计2024年3月完工；

232亿日元用于提高全球占有率第一的半导体前端制程用磨料的质量和产能，项目预估2023年12月完工；

110 亿日元用于客户的半导体相关制造商可以结合尖端材料制作原型的基地，并增强他们的设施；

59亿日元增加用于加工电子材料的高纯度气体的生产，项目预计2023年12月完工；

58亿日元用于增加碳化硅（SiC）晶片和锂离子电池组件的生产，增产工程预计于2023年12月完工；

100亿日元投给定位为增长业务的汽车，用于增加树脂部件的生产能力；

82亿日元用于再生医学相关产品；

资本投资剩余的约200亿日元将用于偿还债务。


据称，昭和电工目标是，到 2013 年 12 月结束的财政年度，销售额从 2008 年 12 月起增加 60%，达到 1.6 万亿日元，EBITDA（利息、税款和摊销前利润）增加 6.4 倍，达到 3200 亿日元。

值得注意的是，今年5月，昭和电工与英飞凌签订了一份包括外延在内的多种SiC材料的供应合同。英飞凌因此获得了更多的基础材料，以满足对SiC基产品不断增长的需求。

据悉，英飞凌与昭和电工株式会社之间的合同为期两年，可续签。

昭和电工预计该合同将使英飞凌能够将昭和电工的 SiC材料应用于各种功率半导体产品，并且两家公司将通过汇集两家公司的技术来加速改善产品质量。
文稿来源：化合物半导体市场