场效应管（FET）：
场效应管种类很多，按基本结构又分两大类：金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）、结型场效应管（JFET）；
从导电载流子的带电极性来看：有N（电子型）沟道 MOSFET、P(空穴型)沟道 MOSFET；
按照导电沟道形成机理不同又分：NMOS管和PMOS管增强型和 耗尽型。
场效应管作用：
利用电场效应来控制其电流大的小；
场效应管特点：
体积小、重量轻、耗电省、寿命长，并且输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强以及制造工艺简单。
JFET：
可分为N沟道与P沟道：
结型效应管与三极管对应关系：
栅极G(Gate)→基极B
源极S(Source)→发射极E
漏极D(Drain)→集电极C
1. N沟道结型场效应管（JFET)的工作原理：
工作条件：结型场效应管只能工作在栅源反偏的条件下, N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区（uGS<0)，否则将会出现栅流。
（1）栅源电压UGS对导电沟道的控制作用
1) 当uGS=0时，沟道较宽。
2)当UGS,off < uGS≤0时， PN结反偏，PN结（耗尽层）加宽。
3)当uGS ≤UGS,off 时，耗尽层将导电沟道全部夹断。
说明：漏极D到源极S的电位逐渐降落，导电沟道中各点与栅极之间的反偏电压逐渐变小，形成一个倾斜的耗尽层。
结论：
(1)当漏极D和源极S之间接漏源电压uDS>0时，将在沟道产生电流iD。
(2) DS之间的电压导致DG之间的反偏电压uGD < 0,当 uGD=UGS,off时，即在漏极最出现预夹断。
输出特性曲线有三个区：
1）可变电阻区（ 恒阻区）
2）恒流区(饱和区、放大区）
3）击穿区
（2）漏源电压uDS对漏极电流iD的影响
1)可变电阻区：当uDS在较小（uDS < uGS-uGS,off）区域时，增加uDS， iD将线性增大，此时漏极附近的耗尽层逐渐加厚，当耗尽层在漏极附近相遇时，称为预夹断，此时uGD=UGS,off ，uGD=uGS-uDS；
2）恒流区：继续增加uDS，uGD反向电压不断增大,夹断区加长,增加的uDS几乎全部用于克服夹断区增加的阻力，此时iD几乎不变；
3）击穿区：uDS 增加到某一值时，iD开始剧增而出现击穿。
2. N沟道结型场效应管（JFET)的特性曲线
（1）输入输出特性
（2）放大特性
3.N沟道结型场效应管应用电路
（1）场效应管偏置电路
和晶体三极管放大电路一样，必须用合适的偏置电路将其工作点偏置在FET静态输出特性曲线的恒流区（即放大区），并使工作点稳定，才能使FET工作在放大状态。
自给偏置电路
分压式偏置电路
/3 
