FDG6306P此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。

特性


  • -0.6 A、-20 V。

  • R[size=0.75em]DS(ON) = 420 mΩ @ VGS = –4.5 V

  • R[size=0.75em]DS(ON) = 630 mΩ @ VGS = –2.5 V

  • 低栅极电荷

  • 高性能沟道技术可实现极低的R[size=0.75em]DS(ON)


  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

FDG6306P详情.jpg
应用

  • 变频器
  • 工业逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热
  • 新能源汽车