euAvuy.jpeg 作者：BENABADJI，整理：晓宇
 今天这篇文章，是在白云机场写的</strong>看到这里，如果这篇文章你还不转发朋友圈，那真是不够意思了，感谢大家支持芯片之家，你们的就是我的最佳动力！ 之前的电路：USB外接电源与锂电池自动切换电路设计，你GET到精髓了吗？
 RBB7V3.jpeg 如果主副输入电压相等，同时要求输出也是同样的电压，不能有太大的压降，怎么设计？ 这个电路咋一看复杂很多，其实很简单，巧妙的利用了MOS管导通的时候低Rds的特性，相比二极管的方式，在成本控制较低的情况下，极大的提高了效率。 本电路实现了，当Vin1 = 3.3V时，不管Vin2有没有电压，都由Vin1通过Q3输出电压，当Vin1断开的时候，由Vin通过Q2输出电压。因为选用MOS管的Rds非常小，产生的压降差不多为数十mV，所以Vout基本等于Vin。
                                         原理分析                 
1、如果Vin1 = 3.3V，NMOS Q1导通，之后拉低了PMOS Q3的栅极，然后Q1也开始导通，此时，Q2的栅极跟源极之间的电压为Q3的导通压降，该电压差不多为几十mV，因此Q2关闭，外部电源Vin2断开，Vout由Vin1供电，Vout = 3.3V。此时整个电路的静态功耗I1+I2 = 20uA。 U3E7Bb.jpeg 2、现在，Vin1断开了，Q1截止，Q2的栅极有R1的下拉，所以Q2导通，Q3的栅极通过R2上拉，所以Q3也截止，整个电路，Q1跟Q3截止，Vout由Vin2供电，Vout = 3.3V。此时上面电路I1跟I2的静态功耗不存在。 6RN3Iv.png 分析完毕。当存在主电源时，电路的静态功耗为20uA，否则，几乎为零。所以电池适合在外部电源供电。 MOSFET Q1、Q2跟Q3应该选择具有低压栅极和非常低的导通电阻特性。例如：Q2 = Q3 = PMN50XP ，在V gs = 3.3V时R dsON为60mΩ。晶体管T3可以是流2N7002，仅供参考，实际根据不同的情况选择合适的MOSFET。