在新型电力电子器件领域,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件与传统的硅基器件相比,拥有更高的临界击穿场强、更好的热传导性能、更小的导通电阻、更高的电子饱和速度以及更小的芯片面面积,这些优良特性使得基于SiC器件的电力电子装备拥有更小的重量和体积,从而提高整个电力电子系统的功率密度与性能。
由于在芯片制备和器件封装过程中工艺的不均匀性,即使是同一型号同一批次的器件,其阈值电压、跨导、导通电阻以及极间电容等参数也会存在一定的差异。碳化硅在大功率的应用中,芯片的均流问题随之凸显。并联必然会由于器件,回路和驱动的差异而产生不同程度的不均流问题。
器件不均流会使得器件的损耗不同,发热不同。在稳定工作状态,不同芯片之间必然有一定的温度差,才能保持此稳定工作状态。这时总的功率就被温度最高的器件所限定。因此 SiC MOSFET 的均流问题对于其并联以扩大功率等级有着重要的意义。
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SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
>>资料:SIC MOS光伏储能