SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响
在新型电力电子器件领域,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件与传统的硅基器件相比,拥有更高的临界击穿场强、更好的热传导性能、更小的导通电阻、更高的电子饱和速度以及更小的芯片面面积,这些优良特性使得基于SiC器件的电力电子装备拥有更小的重量和体积,从而提高整个电力电子系统的功率密度与性能。
由于在芯片制备和器件封装过程中工艺的不均匀性,即使是同一型号同一批次的器件,其阈值电压、跨导、导通电阻以及极间电容等参数也会存在一定的差异。碳化硅在大功率的应用中,芯片的均流问题随之凸显。并联必然会由于器件,回路和驱动的差异而产生不同程度的不均流问题。
器件不均流会使得器件的损耗不同,发热不同。在稳定工作状态,不同芯片之间必然有一定的温度差,才能保持此稳定工作状态。这时总的功率就被温度最高的器件所限定。因此 SiC MOSFET 的均流问题对于其并联以扩大功率等级有着重要的意义。 碳化硅 MOS单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响.pdf.pdf (3.75 MB, 下载次数: 1)
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SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
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SIC MOS 管耐压从650V-3300V全部批量出货、雪崩能量高、可靠性好;其产品通过了车规级AEC-Q101标准1200H 可靠性测试和公司通过了IATF16949质量体系。
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高耐压,低导通电阻
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SiCMOS通过了车规级AEC-Q101
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SiC   MOSFET  适用于高温、高频、大功率
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逆变器用SIC  MOS多吗
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国产碳化硅MOS管,供应链的本土化采购的必然趋势。
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碳化硅技术的优势:效率得到提升,节省空间、重量减轻,零件数量减少,系统可靠性增强。
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SiC MOSFET(碳化硅MOS半导体)栅极驱动以及栅极驱动器示例https://pan.baidu.com/s/1k5E67PXz-syQ-cu3zsfPSQ提取码9fvc
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