肖特基二极管伏安特性
1.正向特性
肖特基二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。
当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，肖特基二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V。
肖特基二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过值，否则将烧坏PN结。
2.反向特性
肖特基二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，肖特基二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR。
3.反向击穿特性
肖特基二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示。
4.温度对特性的影响
由于肖特基二极管的核心是一个PN结，它的导电性能与温度有关，温度升高时肖特基二极管正向特性曲线向左移动，正向压降减小;反向特性曲线向下移动，反向电流增大。
肖特基二极管规格书下载：
SB05150L TO-277 230529.pdf
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