①输入电容器
电容
确定降压型DCDC转换器的输入电容器的容量时有哪些注意事项？
原则上请参考各IC的技术规格书中列出的推荐元器件及其值。另外，由于电容器的有效电容因施加到电容器的直流电压而异，因此，请参考由电容器制造商提供的表示直流电压与电容量之间的关系的特性曲线图等，选用可以确保与推荐产品具有相同有效容值的电容器。同时，也需要遵守等级等要求。
想请教一下如何确定输入电容器的电容值。
从电源IC稳定运行的角度来看，首先要考虑技术规格书中的推荐产品和常数。此外，当因EMC对策等因素而需要降低输入纹波电压或尖峰噪声时，请考虑选用与各频段和所需阻抗特性相匹配的电容器。
陶瓷电容器
实际电容量会根据陶瓷电容器的直流偏置特性而变化，但是阻抗特性也会相应地发生变化吗？
当实际电容量因直流偏置而减小时，谐振点会移至高频段，因此阻抗特性也会改变。
考虑到陶瓷电容器的直流偏置特性，在实际使用的电压范围内选择电容量变化较小的电容器尺寸，这种做法是否正确？
正确。但是，电容量变化较小的电容器通常尺寸较大。如果出现空间限制问题，可以在考虑到直流偏置特性引起的电容量变化的基础上，选用实际电容量与推荐值同等的电容器。
在选择输入电容器时，为什么要选择低阻抗电容值的陶瓷电容器？
通常，陶瓷电容器容量值越低，自谐振频率越高，电容器的功能就越高。DC/DC转换器开关工作的频率分量主要有开关频率（几百kHz～几MHz）和开关上升/下降频率（100 MHz～）两种。特别是为了抑制后者100MHz～的电源波动，需要具有低容量值的陶瓷电容器。
在输入端并联布置电解电容器和陶瓷电容器的原因是什么？
可以认为这取决于应用产品的设计规格，但是大容量电解电容器是在应用产品电源OFF时起到延缓输入电压衰减的作用，而陶瓷电容器的ESR很小，因此针对类似开关电流这样的急剧电流变化，起到提供电荷的作用，两者的使用目的不同。
如果电容量因输入陶瓷电容器的直流偏置特性而发生了变化，是否有必要重新确认阻抗特性？
随着直流偏置特性引起的容值衰减，谐振频率等阻抗特性也会发生相应的变化。需要联系电容器制造商来获取相对于直流偏置的阻抗特性，并据此进行选型；或者采用在使用电压中因直流偏置特性而引起的电容下降程度可接受的额定电压高的MLCC。
如果电容量因输入陶瓷电容器的直流偏置特性输入旁路小容量陶瓷电容器和大容量电容器哪一个应该更靠近IC进行布置？
请将旁路电容器更靠近IC进行布置。这是因为旁路电容器是用来应对单位时间的较大电流变化的，如果距离过远，布线中的寄生电感就会增加，其效果就会减小。
其他
对于去耦电容器来说，当希望对多个频率采取对策时，布置多个与各频率相对应的电容器比较好，还是统一选择正合适的常数比较好？另外，如果布置多个电容器，是否有不利影响？
建议根据频率布置多个电容器。不利影响在于，如果布置多个具有不同自谐振频率的电容器，则可能在它们之间的频率内发生反谐振，并且反谐振频率处的噪声特性可能会恶化。另外，关于多个电容器的布置，最好将自谐振频率高的电容器（主要是小容量电容器）靠近IC进行布置，反之，如果将自谐振频率高的电容器布置在离IC较远的位置，则自谐振频率会因到电容器之间的布线感抗而移至低频段，最终可能无法获得预期的特性。
电解电容器
在选择电容器时，很多情况下技术规格书中并没有列出电解电容器的ESR值。ESR值应如何确认？
包括ESR在内的各详细值，请与电容器制造商联系。
当输入/输出电容器使用电解电容器时，有什么注意事项？
需要确认输入电压和输出电压的纹波波形是否在容许范围内。这是因为电解电容器的ESR通常大于陶瓷电容器的ESR。另外还应注意其温度特性不如陶瓷电容器的温度特性这一点。
工作
为什么需要输入电容器？
需要输入电容器来稳定输入电压。
②电感
电感值（L值）
请教一下为了减小DC/DC转换器的纹波电流⊿IL而增加电感器的电感值的缺点，以及反之减小电感值的缺点。
增加L值的缺点在于需要增加输出电容器的容量以保持负载响应性能，并且电感器的尺寸也会增加。
降低L值的缺点在于纹波电压会增加。当使用极小的L值时，纹波电流会变大，因此需要确认在正常工作期间未达到电源IC的过电流检测值。
如果预测最大负载电流并将电感的L值设置得较大，那么在实际运行中，当输出电流低于最大负载电流时，运行和特性是否会出现问题？换句话说，如果L值过大，是否会有不利影响？
如果与推荐值差距太大，就可能需要调整相位补偿。由于电源的频率特性会根据L值而变化，因此需要确认稳定性和响应性是否存在问题。另外，某些IC具有指定的电感值，在这种情况下，请遵循指定的电感值。
有时更改推荐的电感值（L值）可能会提高效率，但是有什么与之对应的权衡项吗？
使用大于推荐值的电感值，有时可以提高轻负载时的效率。作为其权衡项，频率特性和纹波电流的大小会相应地发生变化，因此需要充分验证并确认其运行和动作情况。
电感的L值过大时有什么不利影响？
不利影响包括负载响应性能下降、电感尺寸增加。此外，某些IC控制方式可能会对L值有限制，如果使用超出限制的L值的电感，则可能会损害控制环路的稳定性。
当实际使用的输出电流为技术规格书中应用电路的输出电流值的一半左右时，是否应根据实际使用情况更改电感的L值？
最好设置在技术规格书的应用电路中的电感值和推荐电感值范围内。例如，假设实际使用的电流为1/100，电感值将大幅增加，变得不现实。考虑到这些因素，虽说得其大者可以兼其小，但是会出现一些浪费或不合理，因此应该选择输出电流与实际使用的电流相匹配的电源。
当增加输出电感的电感值时，为什么也要增加输出电容器的电容量？
这是为了补偿相对于输出负载电流波动的响应性能波动。
为了降低输出纹波电压而增加电感值有哪些弊端？
增加L值的弊端在于需要增加输出电容器的容量以保持负载响应性能，并且电感器的尺寸也会增加。
为了减少纹波电流⊿IL而增加电感器的电感值有什么缺点？
电感值较大的电感器往往尺寸也较大，成本也较高。
当使电感值（L值）大于推荐电路中的L值时，需要确认哪些项目？
如果增大电感值，则对于相同尺寸的电感来说，额定电流值可能会减小，因此需要确认是否满足额定电流值要求。在运行方面，负载响应性能会下降，因此需要确认负载变化时的电压波动情况。此外，某些IC的频率特性会随着电感值的变化而变化。特别是对于电压模式控制的IC来说，尤其需要确认频率特性，并确认输出电压相对于负载电流瞬变是否稳定。对于电流模式的IC来说，如果已经指定了电感值的范围，则需要在指定范围内选择，否则运行可能会变得不稳定。
其他
在DCDC转换器的电感选型过程中，DCR和ACR会产生怎样的影响？
影响电源效率。当DCR较大时，电感平均电流和DCR引起的损耗会增加。另外，当ACR较大时，电感纹波电流和ACR引起的损耗会增加。
可以在电感电流不连续模式下使用IC吗？
没问题，但是有一个缺点，即负载电流急剧变化时的响应性能比连续模式下要差。
为什么电感纹波电流的上升和下降斜率不同？
这是因为电感两端被施加的电压不同。当高边开关导通时，Vin-Vout的电位差将施加到电感。当高边开关关断时，则0V-Vout的电位差会施加给电感。
为了抑制纹波电流而增加L值或增加输出电容器对相位补偿有影响吗？
增加（改变）输出的L值或C值会影响电源电路的频率（相位）特性。但是，如果输出的L值和C值在技术规格书中给出的上限值和下限值范围内，则可以通过调整相位补偿元器件的值来使运行稳定。
额定/饱和
当DC/DC转换器的输出电流有规定的范围（例如0.5A～3.0A）时，如何确定电感的常数？
根据最大电流来选择元器件。例如在0.5A～3.0A这个电流范围示例中，请按照3A来计算。
如果IC具有过电流检测功能，是否需要将输出电感饱和电流设置为过电流检测值以上的值？
当流过的负载电流超过电感的饱和电流时，纹波电流的增加量会超出预期，甚至会达到过电流检测值，因此，建议将输出电感饱和电流设置为过电流检测值以上的值。
为什么将电感的纹波电流⊿IL设置为输出电流的30-40％？
当将⊿IL设置为输出电流的30~40%时，可以平衡效率/负载响应/稳定性等电源性能。
电感的磁饱和与温度有关吗？
如果芯材是铁氧体，则在高温条件下容易发生磁饱和。如果芯材是金属，从材料特性方面看，不太容易发生磁饱和。
电感选型时有哪些注意事项？
选型时需要注意开关电流的峰值不要超过电感的直流叠加电流额定值。
关于电感的选型，有一种做法是选择相对于饱和电流的计算值具有足够余量的电感，但是应该留出多少余量才算是“足够的余量”？
通常认为应该有20％左右的余量，但最终需要通过仔细确认技术规格书中的各种特性来决定。
电感的选型示例一般描述为“从饱和电流为xxA以上的xxμH电感开始”，最终应该如何决定？
最终需要实际装机确认相位特性和负载响应特性之后进行判断。
电感的直流叠加容许电流应该有多少余量？
从IC的稳定运行角度上看，通常只要在电感制造商规定的容许电流值以下，基本上就没有问题。
电感的直流叠加特性在所使用的电流中容许的下降程度大致是多少？
与直流叠加特性中的L值衰减相对应的容许电流值是由电感决定的，因此选择时应使其在该电流范围内。
电感饱和电流应该有多少余量？
通常认为应该有20％左右的余量，但最终需要通过仔细确认技术规格书中的各种特性来决定。
如果在电感的额定电流值以下的条件下使用，通常会引起磁饱和吗？另外，引起磁饱和的电流值会在技术规格书中给出，还是只能通过实测才知道？
只要电流低于额定电流值，就不会引起磁饱和。该值可以通过实测来获取或通过与电感制造商联系来获取。
关于直流叠加特性，应该将百分之多少的减少率视为可用范围？
直流叠加特性是以“Isat”表示的，减少率（例如20％或30％）因电感制造商和产品而异。因此需要充分确认要使用的电感的规格书之后再作出判断。
③输出电容器
ESR（等效串联电阻）
当使用电解电容器等ESR较大的电容器时，除了纹波电压以外，是否还有其他问题？
频率特性可能会改变。需要确认相位裕度和运行稳定性。
输出纹波
为什么会产生输出纹波电压？
在开关电源中，因为开关（反复ON/OFF）和使用电感而产生纹波电流。这种纹波电流和输出电容器的ESR会导致纹波电压产生。
降低输出纹波电压的设计是否是通常做法？
供电元器件和电路不同，所容许的纹波电压也不同。例如，当作为传感器、微小信号的放大电路、低电压工作的微控制器以及FPGA等的电源使用时，通常采用降低低纹波电压的设计。
电容
当DC/DC转换器的输出电流有规定的范围（例如0.5A～3.0A）时，如何确定输出电容器的常数？
根据最大电流来选择元器件。例如在0.5A～3.0A这个电流范围示例中，请按照3A来计算。
当增加输出电感的电感值时，为什么也要增加输出电容器的电容量？
这是为了补偿相对于输出负载电流波动的响应性能波动。
确定降压型DCDC转换器的输出电容器的容量时有哪些注意事项？
原则上请参考各IC的技术规格书中列出的推荐元器件及其值。另外，由于电容器的有效电容因施加到电容器的直流电压而异，因此，请参考由电容器制造商提供的表示直流电压与电容量之间的关系的特性曲线图等，选用可以确保与推荐产品具有相同有效电容的电容器。同时，也需要遵守等级等要求。
能否提供获取输出电容器的合理容值时的具体示例？
输出电容器的合理容值因所使用的IC和条件而异，因此，原则上，需要在参考IC技术规格书中给出的常数基础上，根据期望的输出纹波电压和负载响应特性，通过实际装机确认来进行调整。
工作
为什么需要输出电容器？
当负载电流发生变化时，需要使用输出电容器来稳定输出电压。
④软启动
DCDC转换器电源启动时的浪涌电流可以减少，能否消除呢？
给输出电容器充电时会流过浪涌电流，因此无法消除。但是，可以通过减慢电源的上升时间来充分降低浪涌电流的峰值。
想知道与软启动有关的启动失败的机制。
当输出容值过大时，会发生启动失败的情况。在启动期间，会给输出电容充电，但是如果输出电容过大，那么当在软启动期间内未完成充电且输出电压未充分升高，达到过电流保护或短路保护的条件时，这些保护功能被激活，从而发生启动故障。
当软启动时间长=输出电容器的容量大时可能会导致启动故障，是否可以通过计算来判断是否会发生启动故障？
各IC的技术规格书中会提供指导性计算方法，基本上遵循技术规格书中给出的计算方法。最终需要通过实际装机来确认和判断。
应该根据哪些要求来确定软启动时间？
确定软启动时间时，要满足供电器件的要求规格。但是，如果软启动时间过短，就需要注意流向输出电容器的冲击电流（Irush）。对于具有过电流保护功能的IC，需要注意避免启动时的冲击电流Irush成为激活过电流保护功能的条件。要抑制冲击电流，就需要降低Cout并延长启动时间。
软启动时间应该设置为多少比较好？
基本上由用户根据使用条件来决定。有时也可以根据供电器件来规定上升时间。如果软启动时间设置得较短，就需要注意浪涌电流（如果有浪涌电流）。
输入的浪涌电流可能会使保险丝熔断。作为对策，在软启动、输出电容器及输入电容器等方面，应该考虑的要点是？
由于浪涌电流有可能超出预期，因此可以考虑采取诸如延长软启动时间、减小产生浪涌电流的部分的电容器容量等对策。
外部设置的软启动时间是否有上限？
这个因IC而异，请单独与我们联系。
⑤输出电压设置电阻
由于用于设置输出电压的电阻也会成为负载，因此，如果电阻值较小，多余的输出电流就会增加，效率会下降，那么是否应该尽可能地提高电阻值呢？
就减少不必要的输出电流而言，电阻值大一些更好，但是需要注意的是，如果电阻值过大，FB线路的阻抗就会增加，并且很容易受到外来噪声的影响。
如何确定输出电压的公差？
如果是具有外置电阻的输出电压可调型，基本上取决于IC的基准电压精度公差和输出电压设置电阻公差。如果是电压恒定型，则以IC技术规格书中的规定为准。
想知道用于计算输出电压公差的公式。
如果是具有外置电阻的输出电压可调型，IC的基准电压精度公差和输出电压设置电阻公差就是参数。基本上是在输出电压设置公式中代入各公差来计算。
是否有必要考虑FB引脚电流对输出电压设置电阻的影响？
严格来讲是有影响的，请按照技术规格书中推荐常数的量级（位数）来调整电阻值。输出电压由分压比决定，但如果推荐是24kΩ+30kΩ，那么请按照kΩ量级来调整电阻设置。
⑥自举
电容器
技术规格书等资料中是否会提供自举电容器的推荐容值？
技术规格书中会提供。
推荐的是0.1µF的自举电容器，请问是应该考虑到电容器的直流特性、交流特性和温度特性来选择可以确保最小电容0.1µF的电容器，还是只是简单地选择一个0.1µF的电容器即可？
请选择能够确保有效电容为0.1 µF的电容器。
自举电容器选型不当是否会导致MOSFET损坏？
MOSFET不可能会因自举电容器的选型不当而被损坏。当电容器的容量过大时，电容器将无法充分充电，Vgs会不足；当电容器的容量过小时，由于电容器中的充电电荷不足，同样Vgs也会不足。因此，根据不足的程度，高边MOSFET可能会延迟导通或不导通，故可能会出现输出电压下降或停止运行的情况。
如果自举电容器的容量过大，根据内部电源的能力，BOOT电压的上升速度可能会变慢，为什么？
BOOT电压取决于电容器的充电电流量，因此，如果只是内部电源的电流供给能力很低，那么BOOT电压的上升速度就会变慢。建议使用与技术规格书中的推荐常数相近的值。
对于开关占空比显着变化的应用，应如何考虑自举电容器的电容量？
如果电容器的容值为推荐值，则即使占空比发生变化也没有问题。但是请注意，如果容值显著大于技术规格书中的推荐值，那么当导通占空比变大、充电时间变短时，可能会发生误动作。
自举电容器的容量为什么比高边MOSFET的栅极容量要足够大？
这是因为通过自举电容器中存储的电荷来驱动高边MOSFET的栅极，如果高边MOSFET的栅极电容更大，将无法提供足够的电荷来驱动，并且MOSFET的导通将会花费更长的时间。
自举电路的外置电容器的选择是否会影响最大占空比（max duty）？
通常，最大占空比的公式中不包括电容器的参数，但如果电容量过大，就可能会产生影响。自举电路的电容器请使用技术规格书中的推荐值电容器。
如果大幅提高上下Nch结构的同步整流DC/DC的自举电容器容量（例如推荐值的10倍），是否会有问题？
如果容量过大，则IC内部电源的电流供给能力将不足以充分充电，FET可能无法充分导通。
工作
关于用来驱动Nch高边MOSFET的自举电路，是如何确保为电容器充电的电压的呢？
很多IC的设计是使用IC内部生成的IC工作用电源，具体请仔细确认技术规格书。
规格书中没有给出输出MOSFET内置型IC的MOSFET的VGS阈值，如何判断自举电容器是否合适？
由于未公开内置MOSFET的参数，因此请直接使用技术规格书中关于自举电容器的推荐值。
自举电压过高是否会出现问题？
如果超过IC的耐压，可能会导致IC损坏。对于自举电容器，直接使用技术规格书中的推荐值即可确保正常工作。
⑦相位补偿
FRA（频率特性分析仪）
无法使用FRA（频率特性分析仪）时，是否有确认相位裕度和增益裕度的简单方法？
频率特性与负载响应具有同等含义，因此，如果不能使用FRA，则可以使用电子负载等在预期的负载下进行负载响应试验来确认。如果相位裕度不足，负载响应波形中就会出现振铃，可以观察到不稳定的波形。可以通过波形是否稳定来判断相位补偿是否合适。
如果没有FRA（频率特性分析仪），还有其他可以确认响应特性的方法吗？
给输出以设想的电流变化，用示波器确认当时的电压波动波形，如果在输出电压中没有振荡迹象或长时间持续的振铃现象，就可以认为响应特性基本适当。
是否可以将通过FRA（频率特性分析仪）获取的波特图横轴所示的频率视为DC/DC转换器的开关频率？
波特图的横轴是所施加信号的频率。FRA的波特图表示的是从FRA将设置的正弦扫频信号施加到IC的反馈部分，经由IC内部的电路，再次返回到分析仪时的电压增益和相位。
通过FRA（频率特性分析仪）获得的波特图中的增益下降是由布线电阻引起的，相位滞后是由布线距离引起的，这样理解是否正确？
增益下降和相位滞后主要归因于反馈环路中的信号传输延迟。
无法使用FRA（频率特性分析仪）时，还有其他可以绘制波特图的方法吗？
在输出和输出电压设置用的分压电阻（反馈电阻）之间进行分压，将正弦波信号输入至反馈电阻器侧，用示波器监测来自输出的信号，并按频率绘制与输入信号之间的幅度差和相位差即可获得波特图，但是由于很难从监测波形中读取而不是很现实。
除了使用FRA测量相位裕度和增益裕度之外，还有其他测量方法吗？
通过计算或仿真可以在一定程度上预测趋势，但最终还是需要使用FRA实际装机进行确认。作为在不使用FRA的情况下确认工作稳定性的手法，有一种评估瞬态响应特性并根据在输出电压中的振荡迹象和振铃状态作出近似判断的方法。
对于相位裕度不足或增益裕度不足引起的不必要的振荡，当无法通过FRA（频率特性分析仪）分析波特图时，是否有办法根据振荡频率来判断正反馈振荡？例如，可以认为开关频率＝振荡频率。
关于相位裕度不足或增益裕度不足时的振荡，是在比开关频率引起的振荡更慢的频率下的振荡。关于是否发生了振荡的判定，可以通过示波器观察输出电压和开关波形是否异常（是否有振荡）来确认。
FR相位补偿电阻／电容器
当无法使用FRA（频率特性分析仪）时，将相位补偿用的电阻和电容器设置为按照公式计算出的值，会不会发生振荡之类的问题？
也可以参考计算值进行设置，但可能会受到实际使用部件的类型、特性以及电路板布线布局的影响，因此，需要通过实际装机来充分确认输出电压和开关波形是否稳定。
关于通过连接到ITH引脚的CR进行的相位裕度调整，当将电阻从9.1kΩ的适当值增加到比如27kΩ时，相位和增益裕量会怎样？
相位裕度和增益裕度均呈恶化趋势。
电阻增加会使反馈环路的过零点移至低频段。为了提高增益，零点会移至低频段，从而使交越频率移至更高的频率。随着频率的升高，相位会滞后，结果由于交越频率加宽和高频段的相位滞后，而导致相位裕度和增益裕度都出现劣化。
ITH引脚的相位补偿电阻和电容器的常数选择可以大致决定稳定性，但是应该怎么做才能改善负载响应特性？
将交越频率设置得稍高些，可以改善负载响应特性。但是需要注意相位裕度呈减小趋势。
当将ITH引脚的相位补偿电阻从适当值减小时，负载响应将变差（Vout收敛会变慢），这样理解是否正确？
降低电阻会使交越频率降低，因此负载响应会变差。
如何推导确定ITH引脚的相位补偿电阻和电容值的公式？
在各IC的技术规格书中都有记载，具体请确认技术规格书。
在相位补偿调整中，如果将ITH引脚的电阻设置为推荐值，然后增加电容器容量直到异常振荡消退，则该电阻值会明显偏离推荐值。在这种情况下，是否应该一并调整电阻值？
作为对策，可以降低电阻，但通常情况下，按照技术规格书中给出的推荐值或接近推荐值的值，就会基本保持稳定。另外，请确认电感值和输出电容器的容值是否明显偏离推荐值。当按照推荐值（或近似值）设置也不能稳定运行时，可能是由于包括布局在内的其他外部因素造成的。
当使相位补偿电阻的值固定、使相位补偿电容器的值改变时，相位和增益会怎样？
当改变相位补偿电容时，零点和极点的频率都会移动，因此并不能一概而论地说会怎样。另外，还取决于所用IC的内部参数。
调整用于相位补偿的电容器和电阻时，应该先改变哪个值比较好？
调整时，请先更改电阻值。通过改变电阻值，会使过零频率直接改变。
在很多情况下，相位补偿用的电阻和电容器的计算值与实际值不一致。在这种情况下，应该选择小于计算值的值还是大于计算值的值？
请选择最接近计算值的值。大小无关紧要。
当通过相位补偿调整来增加电容器的电容量时，波特图会如何变化？
当改变电容器的电容量时，会影响到各种参数，因此对于变化并不能一概而论。
此外，还会受所用IC的内部特性以及电感等其他外置元器件的影响。
请教一下有关相位补偿电阻器和电容器的计算公式详细介绍。如果是计算值，相位裕度和增益裕度是否会处于最佳状态？
IC技术规格书中给出了详细计算公式，请参考。由于计算值仅是理论值，因此建议在计算后通过实际装机进行确认。
如何通过调整ITH引脚的电阻和电容器来改善负载响应特性？
提高过零频率会使响应特性得到改善。增加电阻可以使过零频率提高，响应特性可以朝改善的方向调整。但是，如果电阻过大，可能会失去相位裕量并发生振荡。在这种情况下，需要减小电容并进行确保相位裕量的调整。当需要进一步改善瞬态特性时，可以通过添加输出电容器来减少输出电压的波动。由于添加输出电容器会使频率特性发生变化，因此需要再次确认频率特性，并考虑是否有必要调整ITH引脚的电阻和电容器。
频率特性
对于DC/DC转换器而言，通常是相位裕度45deg以上、增益裕度-10db以下，为什么规定这样的值？
因为这样的值适当地平衡了响应速度和稳定性。如果相位裕度和增益裕度不足，则负载响应波形中将会出现振铃等不稳定波形。另外，如果设计时过度确保稳定性而降低了频段，那么响应性将变差，负载响应特性将恶化。
知道可以使用ITH引脚进行相位补偿，但是可否调整增益呢？
IC内部的DC增益是固定的，无法从外部进行调整。
想了解一下相位裕度和增益裕度的确认要点以及大致的裕度标准。
在增益为0dB的频率处确认相位裕度，在相位为0deg的频率处确认增益裕度，然后探讨分别有多少裕量。大致的标准是相位裕度45deg以上，增益裕度-10 dB以下。
仅增益没有裕量的情况、仅相位没有裕量的情况、相位和增益都没有裕量的情况下，异常振荡状态的波形是否不同？
就ON DUTY的畸变情况而言，状态基本相同。
从偏离预期值的异常运行角度看，没有区别。
应该在什么条件下设置频率特性中的交越频率？
以振荡频率的1/20左右为大致标准，在可以获取相位裕量的范围内设置频率。
如何计算频率特性中的交越频率？
各电源IC的技术规格书中都给出了计算公式，请参考相应IC的技术规格书。
相位裕度和增益裕度是否会因输出电容器Cout的大小而变化？
会的。当然这也取决于IC，但如果Cout过小，则交越频率将移至高频段，相位裕量和增益裕量都会减小。
通常，相位补偿时的交越频率是根据开关频率计算的，为什么？
由于死区时间方面的影响，在开关的Off Duty频率下相位会滞后360度。也就是说，在开关频率附近的频段中，几乎无法确保稳定性，并会发生振荡。因此，通常将开关频率作为一个指标来计算交越频率。
计算相位补偿用电阻值所需的交越频率是如何计算的？
交越频率是用户设置的值。很多情况下，设置为开关频率的1/10～1/20可以获得良好的结果。
电源IC的技术规格书中是否会提供计算相位补偿用的电阻值所需的交越频率？
交越频率是用户设置的值。很多情况下，设置为开关频率的1/10～1/20可以获得良好的结果。
应该如何假设相位裕度的最差条件？
最差条件因所用电容器等的温度特性以及由偏置效应引起的有效电容值的波动而异。
在输入电压、负载条件和要使用的温度范围内测量相位裕度，并测量最差值。
其他
输出反馈电阻（分压电阻）的值会影响相位和增益吗？
没有特别的影响。
如果是没有相位补偿引脚的电源IC，应该怎么进行相位补偿？
对于没有相位补偿引脚的IC，有时可以使用输出电容器或电感来调整频率特性，但具体取决于IC，请单独与我们联系咨询。
如果负载能够保持恒定的电流，是否不必担心负载响应特性？
即使负载是恒定电流，在负载电流开始流动时，输出也会波动，因此需要通过波形来确认稳定性。另外，当交越频率低=响应特性差时，启动时的输出电压过冲还可能会变大，因此同样需要确认波形。
设置输出电压用的分压电阻（反馈电阻）的输出端所连接的电阻，有时会并联陶瓷电容器，为什么？
通过并联连接陶瓷电容器，可以使相位超前。利用这种相位超前，可以进一步确保相位裕度并改善响应性。
哪些因素会改变电源电路的反馈环路中产生的延迟时间？
主要因素基本上是反馈环路中的信号传输延迟。
评估
评估相位裕度和增益裕度时，温度、输入电压、输出电压和负载条件是什么？
原则上，最好通过实际装机并使用设想的使用条件或与使用与实际工作规格相同的条件来实施评估。
有负载响应特性的评估标准吗？
简单的评估是在应用产品中，相对于可能的负载电流变化，是否存在振荡和振铃迹象。另外，由于输出电压在负载响应期间会产生波动，因此还需要判断该波动是否在实际设备中的输出电压波动容许范围内。
电路板布局
反馈路径
从往常的认识来看，由于从输出电压用的分压电阻到FB引脚之间的图形布线几乎没有电流流过，因此一般认为比起担心布线电阻，更应该注意减少寄生电感和电容，最好不要过粗。那么，到底设置输出电压用的分压电阻到FB引脚之间的图形布线应该细还是粗？
通常比电源线细的设计比较多。除寄生电感和电容外，从有效减少来自周围的串扰影响的角度看，细一点更好。
为了进行遥测，希望从离电源IC较远的负载器件附近获取反馈的输出电压。在这种情况下，到FB引脚的布线会变长，并且通常不包括在反馈环路中的单个LC滤波器会被包括进环路，该怎样处理比较好？
请确认包括LC滤波器在内的实际反馈环路的频率特性（相位/增益裕度），以确认稳定性。还需要在实际设备中确认负载变化时的输出电压波形，需要确认输出电压波形中是否产生了持续振铃，是否有振荡迹象。
接地
包括DC/DC转换器的外围电路在内的接地可能会引起什么问题？ 特别想请教一下PSRR（电源抑制比）和共模噪声相关的对策。
如果DC/DC转换器周围的接地不当，可能无法正常运行，或可能无法获得预期的特性，或可能会产生不必要的噪声。在这种情况下，PSRR可能低于IC特性（规格），或者共模噪声可能会增加。作为对策，建议采用在IC周围设置过孔（Via）、增加接地面积等方法，来增强接地。
电源GND和信号GND是否分开更好？
基本上认为将它们分开更好。
串扰
除了FB线路以外，还有“高阻抗线”吗？
通常，除FB引脚外，SS（软启动）引脚和ITH引脚等均为高阻抗线。具体因IC而异，需要逐一确认。
为什么需要注意高阻抗线路的串扰？
由布线电感引起的电感耦合以及布线之间的电容耦合导致感应电流（噪声）产生是造成串扰的主要原因。即使感生了相同的电流，具有较高阻抗的线路所产生的电压更大，引发电路误动作的风险更大，因此需要格外注意。
据说如果从输出到FB引脚的反馈电阻较大，可能会受到串扰的影响，但是会不会受FB引脚的输入偏置电流的影响呢？
当然，如果反馈电阻值过大，就会受到输入偏置电流的影响。偏置电流主要影响电压精度。串扰多为交流波动，并且可能会导致纹波增加或异常振荡。
当来自输出的反馈路径（FB线路）的阻抗较高时，为什么更容易发生串扰？
当噪声通过来自周围布线的电容耦合而传播时，其线路中的阻抗越高，所产生的噪声电压就越大。也就是说，更容易受到串扰的影响。
输出电压设置电阻
输出电压设置电阻（反馈电阻）应连接到输出线路的哪个部分？原因是什么？即使在相同的输出线路中，如果电感、输出电容器、负载等部分的位置发生变化，电压（波形）是否也会不同？
建议尽可能从靠近输出电容器的位置引出，并与负载电流流经的路径（从电感到输出电容器）分开布线。这是因为即使是相同输出的节点，从电感到输出电容器之间的电路板的寄生阻抗也会引起电压降。
软启动引脚电容器
如果不能忽略到软启动引脚电容器之间的布线电阻，是否通过时间常数来计算即可？此时的计算公式应该是怎样的？
如果软启动引脚的源极电流为恒定电流，则当源极电流为isrc、软启动引脚的电容为Css、到Css的电阻分量为Rss、软启动引脚电压为Vss时，Vss可以用以下等式来表示：
Vss＝isrc/Css*ttime Rss *t isrc
当将Vss用作反馈电压的参考电压时，输出电压将升高以使反馈电压达到Vss电压。如果布线长到布线电阻产生影响的程度，则可能会因噪声引起误动作，因此也需要一并考虑。
输入电容
在电路板布局中，输入电容器应尽可能靠近IC的Vin引脚布置，那么可以允许的距离是多少？
没有严格的规定，但是距离越远效果越差。可以将5mm以内（源自经验总结）作为大致的参考值。
布置
必须与IC安装在同一层上的元器件和可以在背面安装的元器件分别有哪些？
建议将流过开关电流的元器件安装在IC的同一层上。包括电感、输入电容器、输出电容器及二极管（异步整流的情况下）。如果开关晶体是外置的，建议将开关晶体管也安装在IC的同一面。
即使安装在IC所在面的背面，也不会引起性能和噪声问题的外围元器件有哪些？
由于安装在IC所在面的背面需要借助过孔（Via）来实现，因此会受过孔电感分量的影响。从这一点来看，不容易成为高频电流路径的元器件相对不易受到影响。具体地讲，如果是输入和输出电容器、内部电源引脚电容器和自举电容器以外的元器件，则将其设置在IC面的背面时影响较小。但是，在电感的背面尤其是电感的正下方，无论布置什么元器件都可能会受到影响。另外，还需要注意，不仅元器件会受到影响，信号线也可能会受到影响。
IC输出端的电感器、二极管和电容器在电路板上的布局有什么限制因素吗？
在降压型DCDC转换器中，对于电容器来说最需要注意的是输入。由于输出存在开关工作，因此需要注意开关节点与其他线路之间的干扰。
在电路板上配置输出端的电感器、二极管和电容器时，应该注意什么？
由于输出开关节点在电路中是高速切换大电流的噪声源，因此涉及到焊盘布线和元器件布局等多个注意事项。
输入电容器应该尽量靠近IC布置，那么是否需要考虑电感器和输出电容器等的布置呢？
最好缩短开关节点的布线，因此电感器和电容器一样，最好靠近IC配置。在布置输出电容器时，注意要使由IC的SW引脚→输出电感器→输出电容器→IC的PGND（GND）引脚组成的电流环路面积尽可能小，从而可以抑制噪声。
除了输入电容器以外，还必须注意哪些元器件的布局？
还需要注意与IC的开关引脚相连接的电感、开关晶体管及二极管（二极管整流时）的布局。
仿真
已经获得了SPICE模型，可以通过OrCAD 16.0使用吗？
在创建SPICE模型时使用的是OrCAD 17.2-2016，并未确认使用16.0时的运行情况。
开关频率
有些IC是可以选择开关频率的，其目的是什么？
这是为了增加设计的灵活性。如果提高开关频率，那么外置电感就可以使用较小的产品，从而可以进一步节省电路板的空间。但是，效率会降低，因此发热量可能会增加，并且高频噪声可能会增加。需要根据使用条件和要求，并权衡矛盾项之后来确定频率。
为了降低输出纹波电压而提高开关频率有哪些弊端？
提高开关频率的弊端包括噪声频率会提高，效率降低导致发热量增加。
应该如何确定开关频率？同时想请教一下开关频率与噪声之间的平衡。
开关频率会影响DC/DC转换器的输出纹波和电感的电流纹波。开关频率越高，纹波越小，但是开关损耗却趋于增加，这就涉及到效率和发热量之间的权衡。对于噪声来说，主要是开关频率倍数处的噪声，但高频段的噪声会随频率的降低而趋于下降。
开关频率有推荐值吗？比如，最好高一些或最好低一些等。
基本上没有。由于开关频率会影响效率/负载响应/辐射噪声等，因此，用户需要根据所需的电源规格和预期用途等来选择开关频率。
如何确定开关频率？
以固定频率工作的电源IC机型中，包括内部开关频率固定的类型，和通过外置元器件的常数设置开关频率的类型。对于诸如采用PFM这样的频率调制工作的IC来说，开关频率会根据输入/输出条件和负载而变化。
要使用更小的电感器和电容器，有一种方法是提高开关频率，但是在确定频率时，有什么必须考虑的要点吗？
需要考虑的要点有很多，其中之一是需要将输出纹波电压抑制在受电元器件容许的范围内。输出纹波电压取决于流过电感的纹波电流幅度。流过电感的纹波电流取决于输出电感量和电容量（LC）以及开关频率。因此，要选择更适合的电感器和电容器，就要对包括尺寸在内的各个方面考虑周全。
要降低纹波电压，有一种方法是提高开关频率。但是开关频率提高到什么程度比较合适呢？另外，提高频率之后有哪些弊端？
开关频率的上限取决于IC，因此请参考技术规格书。提高开关频率的弊端包括效率降低导致的发热量增加和高频噪声增加。
降额
在已经设想好瞬态负载后，选择元器件时应注意什么？
需要选择针对瞬态负载的最大值考虑到包括纹波电流在内的最大值的产品。
对于所使用的元器件来说，应该留多少余量比较好？另外也请讲一下数值的依据。
关于元器件的余量留多少比较好，没有数值依据，但是从经验来看，多为20％以上。
输入电容器和输出电容器的耐压应该降额多少比较好？
考虑到外部噪声干扰，通常是一倍左右。如果是陶瓷电容器，则需要考虑直流偏置特性，因此在考虑尺寸和耐压时请优先考虑直流偏置特性。
噪声
请教一下针对DC/DC转换器产生的噪声有哪些对策？
具体对策因DC/DC转换器的类型而异。常见的对策包括在开关引脚和GND之间插入CR缓冲电路，以及在输入线路或输出线路中插入滤波电路。
DC/DC转换器的EMI对策包括增加缓冲电路，请问是否有不增加电路或元器件就能解决的对策？
EMI的基本对策是使与输入电容器→高边开关晶体管→低边开关晶体管→输入电容器的距离尽可能地短。
有一种通过在DC/DC转换器的输出端MOSFET的栅极线中插入电阻来降低噪声的方法，但是如果使用铁氧体磁珠的话，会引起什么问题吗？？
铁氧体磁珠可以有效降低100MHz附近的高频噪声，但是将铁氧体磁珠插入电源线路中可能会引起误动作。
应该有很多可以降低DC/DC转换器输出噪声的方法，有什么推荐的方法吗？
通常，采用针对产生噪声的频率添加用来降低阻抗的小容量电容器的方法。对于电容器的阻抗特性，建议使用各电容器制造商提供的设计支持工具来确认。
针对PWM控制中的开关动作产生的噪声采取对策时有哪些注意要点？
噪声的分量包括由振荡频率的倍数波引起的噪声以及因开关ON/OFF的转换速率（压摆率）所产生的噪声，因此需要根据频率采取相应的降噪对策。另外，将输入电容器尽可能地靠近IC的输入引脚是EMI对策之一。
开关导通时的过冲应该可以通过输入电容器的位置来调整，但是开关关断时的欠冲现象可以通过改善哪种元件的布局来改善呢？
有时可以通过使输入/输出电容器靠近IC接地的布局方式来改善。
作为开关噪声的降噪对策，插入了RC缓冲电路还是不能获得足够的降噪效果时，在电路板布局方面应该确认的要点有哪些？
可以通过尽量缩短输入电容器、IC的输入引脚和PGND之间的环路来降低开关噪声。
考虑到开关噪声的设计是什么样的设计？
除了所使用的MOSFET和二极管的特性外，开关噪声还与电路板的布局有很大关系。因此，如果DC/DC转换器为降压型转换器，则在布局设计时需要使MOSFET、二极管（如果是同步整流则是MOSFET）和输入电容器之间的布线尽量短。
当通过在输出端安装滤波器来降低开关噪声时，想了解一下LC滤波器和RC滤波器各自的注意事项。
无论是LC滤波器还是RC滤波器，都需要确认输出电压的衰减程度以及相位裕度和增益裕度是否得到保证。
如果开关噪声对输入端也产生了影响，有没有效果好的对策方法？
作为一般性的对策，有一种方法是在IC的输入引脚最近处与GND之间配置陶瓷电容器，而且是对于噪声频率具有低阻抗、具有非常合适的电容量和频率特性的陶瓷电容器。
正在使用缓冲电路作为降噪措施，但是还有其他抑制辐射噪声的方法吗？
通常降噪措施包括将输入电容器（尤其是旁路电容器）靠近IC输入引脚布置，以及选择漏磁少的电感等做法。
有一种降噪措施是后期添加缓冲电路，是否应该在设计之初就添加缓冲电路？另外应该和不应该的要点（频率？电压？）有哪些？
缓冲电路与DC/DC转换器的上升和下降导通速率有关，对于从几十MHz到几百MHz的频率具有降噪效果（具体因条件而异）。但是，当需要大幅改善噪声时，电阻的损耗将变得非常大。如果勉强插入缓冲电路，可能无法通过合理的布局来应对这部分问题，最终反而导致噪声加剧。
对于具有内置功率晶体管的DC/DC转换器IC来说，将输入电容器尽可能地靠近IC输入引脚放置是非常有效的做法，因此合理布局比添加缓冲电路更重要。
是否有必要在自举电容电路中串联一个电阻？应该如何判断是否有必要？
与自举电容器串联插入电阻的原因通常是为了通过降低开关启动时的导通速率来降低噪声。如果对噪声比较在意，是可以考虑添加阻尼电阻的，但是添加后开关启动时间会变长，开关损耗会增加，因此需要重新确认电源效率和温升情况。
纹波和开关噪声的频率大致是多少？
噪声受开关频率的倍数和开关晶体管ON/OFF的导通速率影响。例如，如果开关频率为1MHz，则纹波为1MHz，开关噪声将处于几百MHz的频段内。
如果要在现有的DC/DC电路板上添加缓冲电路，有哪些推荐的安装和增设方法？
缓冲电路通常是针对产生噪声的部分添加的，但是如果是RC缓冲电路的话，电阻的损耗会很大，因此在添加时需要考虑电阻的散热。此外，虽然会因需要对策的频率而异，当布线电感较大时，在高频段的效果会减弱，因此很多情况下，考虑到噪声的布局会更加有效。
为什么会产生输入纹波电压和尖峰噪声？
输出端的纹波电流也会流向输入端。这种电流和输入电容器的ESR也会导致在输入端产生纹波电压。尖峰噪声是由输出开关晶体管的导通和关断带来的电流变化和电流路径的寄生电感引起的。要减少尖峰噪声，就需要减少寄生电感量。
输入端的噪声是否会出现在输出端？或者反之，输出端的噪声是否会出现在输入端？
这取决于噪声的类型和性质。在某些输入和输出电容器的设置条件下，以及在某些电路板布局情况下，噪声可能会从输入端传播到输出端或从输出端传播到输入端。
是否有辐射噪声低的IC？
有些IC的开关转换速率（开关方波的上升和下降速度）很慢。但是作为其矛盾项，效率会降低。另外，有些IC具有扩散开关频率的功能，可以抑制噪声峰值。
测量方法
电感电流
测量电感电流时，连接电感器的导线应该连接IC端还是输出电容器端？
请教一下观察电感的电流波形所使用的电流探头、以及为了进行该测量而连接到电感端的导线的规格（直径、长度）。
如何观察电感的电流波形？
输出纹波
测量输出纹波电压时，噪声（尖峰）很大，请教一下推荐的测量环境。
输入电流
如何掌握由开关引起的输入电流的上升和下降频段？
电感电流
测量电感电流时，连接电感器的导线应该连接IC端还是输出电容器端？
连接至IC端进行测量。
如何观察电感的电流波形？
将导线连接到电感端（IC侧），使用电流探头进行观察。
输出纹波
测量输出纹波电压时，噪声（尖峰）很大，请教一下推荐的测量环境。
用无源探头测量输出电容器的两端。此时，请勿使用探头的GND引线，而应直接取GND，以使测量点和GND的环路面积尽可能小。另外，需要使用对要测量的频率具有足够频率范围的探头。
输入电流
如何掌握由开关引起的输入电流的上升和下降频段？
需要测量直接流过开关晶体管（MOSFET）漏极的电流，并测量上升和下降的时间。如果旨在消除噪声，则需要确认开关引脚电压的振铃波形，并选择可以降低谐振频率的电容器。
工作/特性
效率
据说同步整流因为传导损耗低所以效率高，但是开关损耗又怎么样呢？
输出纹波
DC/DC转换器的输出纹波电压是什么概念？
开关晶体管
MOSFET的寄生二极管的导通容许程度是？
为什么内置Pch MOSFET的DC/DC转换器IC中高电压、高电流的机型比较少？
尺寸相同的Pch MOSFET和Nch MOSFET的Ron（导通电阻）是否相同？
同步整流DC/DC转换器IC中，在输出段的高边和低边均采用Nch MOSFET的IC的优点有哪些？
在高边和低边都采用Nch MOSFET的同步整流方式中，无法像高边采用Pch MOSFET的结构一样100％占空比工作，而是最大占空比受到限制，为什么？
在同步整流DC/DC转换器IC中，当高边晶体管为Nch MOSFET时，与Pch相比，相对于输入的最大输出电压更低，但是由于Ron很小，所以可以认为MOSFET自身的发热量较低吗？
同步整流DC/DC转换器IC的输出段MOSFET采用Pch（高边）+ Nch（低边）的配置有什么缺点？
二极管整流
轻负载模式
在二极管整流方式下，切换到轻负载时的高效率工作的大概阈值是多少？
肖特基势垒二极管
二极管整流DC/DC转换器的二极管是否必须是肖特基势垒二极管？
关于二极管整流方式的肖特基势垒二极管的选型，正向电压引起的电压降除了会导致效率降低之外： 1）是否会影响设置的输出电压值？ 2）是否会影响输出纹波电压？ 3）二极管的结电容是否与DC/DC工作有关？
二极管整流DC/DC转换器中使用肖特基势垒二极管时，可使用的输入电压大概是多少？听说最好不要在太高的电压下使用。
二极管整流DC/DC转换器的肖特基势垒二极管的正向电压引起的电压降，除了会导致效率降低外，是否会影响设置的输出电压值？
请教一下二极管整流DC/DC转换器的肖特基势垒二极管选型时的注意事项。
对于二极管整流DC/DC转换器来说，肖特基势垒二极管是否只能外置？是否有内置于IC中的类型？
不连续模式/LC谐振
在二极管整流DC/DC转换器的不连续工作模式下产生的LC谐振的L和C是指？
二极管整流DC/DC的不连续工作模式下的谐振可能带来的影响有哪些？
在二极管整流DC/DC的不连续模式下产生的LC谐振是否有问题？
想知道在二极管整流DC/DC转换器不连续工作模式下的LC谐振发生机制。
二极管整流DC/DC转换器不连续工作模式下的谐振波形的电压是否会高于输入电压？
如果使二极管整流DC/DC进行不连续工作，是否会对IC及其外围元器件产生不利影响？如果有影响的话应该采取什么对策？
同步整流
直通电流/死区时间
在降压工作中，与同步整流方式相比，二极管整流方式中有“无直通”的说法，是什么意思呢？
为什么在二极管整流DC/DC转换器中没有同步整流型中可能产生的“直通”现象？
“直通”是什么样的现象？
什么是“直通电流”？
据说同步整流DC/DC转换器IC设置了用来防止直通电流的死区时间，是否有可以调整死区时间的IC？
同步整流DC/DC转换器所需的死区时间大致是多少？
关于同步整流DC/DC转换器开关MOSFET的寄生二极管的导通，容许程度是？
在同步整流中，当低边MOSFET导通时，是否是寄生二极管（体二极管）首先导通，然后MOSFET导通？
在同步整流电路中，是否容许有直通电流流过？比如流过直通电流的时间很短，直通电流在晶体管的额定范围内等。
轻负载模式/脉冲跳跃
切换到轻负载模式的条件是否因元器件而异？
利用轻负载模式，即使在轻负载时也能实现高效率，想了解一下其原因和切换到轻负载模式的条件。
在同步整流DC/DC转换器轻负载时脉冲跳跃工作中的开关频率会发生什么变化？
在有轻负载模式的同步整流DC/DC转换器IC中，应如何考虑轻负载和重负载的标准？
重负载是指额定输出电流的百分之多少？
如何检测在同步整流DC/DC转换器脉冲跳跃时的电感电流IL为零的情况？
如何检测在同步整流DC/DC转换器脉冲跳跃时的电感电流IL？
在同步整流DC/DC的脉冲跳跃工作时的开关波形中会出现类似振铃的波动，是否会有其他不利影响？
请问同步整流型电源IC轻负载时的脉冲跳跃技术是一种普通技术，与制造商无关，在最近的电源IC中很常见，还是一种专利技术，仅限于有脉冲跳跃功能的电源IC（制造商）？
想知道在同步整流型电源IC轻负载时的脉冲跳跃工作中用来检测电感电流IL变为零的电路。
不连续模式
同步整流DC/DC转换器不连续工作模式下的噪声是否比连续工作模式时的噪声大？
负载/负载响应
当负载是电感器或电容器而不是电阻器时，有什么需要注意的吗？
要改善DC/DC转换器IC的负载响应特性，在IC内部电路中都考虑哪些因素？
当DC/DC转换器的负载急剧变化时，输出电压如何变化？
如果是根据负载自动更改开关频率的DC/DC转换器IC，当负载从重负载变为轻负载时，过冲可能会增加，对此有什么对策？
保护功能
想知道过负载时和短路时的保护方法。
可以用任意电流激活过电流保护功能吗？
IC中是否配有保护电路？
连续工作/不连续工作
设计DC/DC转换器时，按照使之连续工作的设计思路进行设计对吗？
在不连续工作时，输出电流大于纹波电流的1/2是什么条件？
不连续工作是否具有比连续工作所产生的噪声更多的缺点？
最大占空比（MaxDuty）
输出电压设置范围
上下Nch配置的同步整流DC/DC转换器的最大占空比MaxDuty和输出电压之间有什么关系？
当输入电压和输出电压差较大时，为什么需要通过多个DC/DC转换器进行降压（比如分两步降压）？
最小导通时间Ton(min)
同步整流DC/DC的MaxDuty是否受最小导通时间Ton（min）的影响？
如何确定限制同步整流DC/DC转换器输出电压下限的最小导通时间Ton（min）？
最大占空比（MaxDuty）
高低边晶体管均由Nch MOSFET组成的同步整流DC/DC转换器的最大占空比MaxDuty是根据什么确定的规格？
为什么在高低边均由Nch组成的同步整流DC/DC转换器中限制MaxDuty不达到100％？
高低边Nch配置的同步整流DC/DC转换器的自举电路中的电容器值会影响MaxDuty吗？
其他
评估中的DC/DC转换器IC的输入电压为7～35V、输出电压为0.8V～Vin，可否在输入35V、输出0.8V等输入输出电压差较大的条件下使用？
想估算用于热设计的每个组成元器件的发热量。是否有诸如手动计算和仿真等方法？
请教一下DCDC转换器的升压原理。
Icc是表示什么电流的符号？
与LDO相比，DC/DC转换器的缺点之一是其成本比LDO高，是否是这样？
如何确定反馈电源IC输出电压的误差放大器的基准电压？
当作为电机驱动器的电源使用时，针对电机启动时突然出现的负载变化，选择LDO或DC/DC转换器时应考虑哪些因素？
工作/特性
效率
据说同步整流因为传导损耗低所以效率高，但是开关损耗又怎么样呢？
就开关损耗而言，同步整流和二极管（异步）整流之间没有太大差异。在效率方面，可以说同步整流型更胜一筹。
输出纹波
DC/DC转换器的输出纹波电压是什么概念？
在DCDC转换器中，会输出三角波的开关（电感）电流。该电流会给输出电容器充电，因此输出中会出现由输出电容器的ESR（等效串联电阻）x开关电流产生的三角波电压。这种电压幅值的变化称为“纹波电压”。纹波有“脉动”之意。
开关晶体管
MOSFET的寄生二极管的导通容许程度是？
具体因电源IC和MOSFET（外置的情况下）而异，因此请根据型号名称单独咨询。
为什么内置Pch MOSFET的DC/DC转换器IC中高电压、高电流的机型比较少？
具有相同电流和耐压的Nch MOSFET与Pch MOSFET相比，Pch的尺寸更大，从而会导致IC芯片变大，因此考虑到封装尺寸和性能方面的优势，使用Nch的IC更多。
尺寸相同的Pch MOSFET和Nch MOSFET的Ron（导通电阻）是否相同？
如果元件尺寸相同且VGS相同，则Nch MOSFET的Ron会更小。
同步整流DC/DC转换器IC中，在输出段的高边和低边均采用Nch MOSFET的IC的优点有哪些？
与使用Pch MOSFET的IC类型相比，在能力相同的情况下，采用Nch MOSFET的IC尺寸可以更小。反之，如果尺寸相同，则能力更高。随着近年来对小型和高效率的需求高涨，Nch型基本上更具优势。
在高边和低边都采用Nch MOSFET的同步整流方式中，无法像高边采用Pch MOSFET的结构一样100％占空比工作，而是最大占空比受到限制，为什么？
要想驱动高边Nch MOSFET，需要使栅极电压高于漏极电压，故配有自举电路，并且为了给充电电容器充电，需要使低边MOSFET导通，将开关引脚置于低电平。由于需要相应的时间，因此对最大占空比是有限制的。
在同步整流DC/DC转换器IC中，当高边晶体管为Nch MOSFET时，与Pch相比，相对于输入的最大输出电压更低，但是由于Ron很小，所以可以认为MOSFET自身的发热量较低吗？
在Nch的情况下，不可能以100％的占空比工作，因此可以输出的最大电压低于Pch，输入/输出电压差可能会变大。如果MOSFET的尺寸相同，则Nch的Ron较小，因此可以简单地认为MOSFET的发热量较小，但有需要确认条件是否相同。
同步整流DC/DC转换器IC的输出段MOSFET采用Pch（高边）+ Nch（低边）的配置有什么缺点？
如果用Pch MOSFET实现与Nch MOSFET同等的特性，则尺寸会增加，因此IC的尺寸也会增加。
二极管整流
轻负载模式
在二极管整流方式下，切换到轻负载时的高效率工作的大概阈值是多少？
轻负载时的效率改善方法包括跳跃式开关工作和流过电感的电流处于不连续状态的不连续工作。当负载电流约为电感纹波电流IL的1/2以下时，进入脉冲跳跃工作模式。
肖特基势垒二极管
二极管整流DC/DC转换器的二极管是否必须是肖特基势垒二极管？
尽管不是必须的，但由于正向电压低且反向恢复时间短的肖特基势垒二极管在效率方面更具优势，因而建议使用肖特基势垒二极管。
关于二极管整流方式的肖特基势垒二极管的选型，正向电压引起的电压降除了会导致效率降低之外：
1）是否会影响设置的输出电压值？
2）是否会影响输出纹波电压？
3）二极管的结电容是否与DC/DC工作有关？
设定输出电压的值一般是将开关电压以LC滤波器平滑后的电压，也就是说，一般反馈供给负荷的电压，包含了二极管的正向电压降，因此不会影响输出电压的设置值。另外，对输出纹波电压也没有影响。结电容通常也几乎没有影响。
二极管整流DC/DC转换器中使用肖特基势垒二极管时，可使用的输入电压大概是多少？听说最好不要在太高的电压下使用。
市场上的硅肖特基势垒二极管的耐压通常在200V以内。尽管具体因应用产品而异，但作为电源，通常需要确保输入电压的1.3～2倍左右的余量。据此推算，如果是200V耐压的产品，则100V以内的输入电压程度是可以接受的。关于余量的考虑方法各有不同，基本上以此为大致标准进行判断。
二极管整流DC/DC转换器的肖特基势垒二极管的正向电压引起的电压降，除了会导致效率降低外，是否会影响设置的输出电压值？
设定输出电压的值一般是将开关电压以LC平滑后的电压反馈给设定值，包含二极管的正向电压的下降量，因此不会影响设定输出电压的值。
请教一下二极管整流DC/DC转换器的肖特基势垒二极管选型时的注意事项。
耐压和正向电压是选型时需要关注的主要要点。耐压能力至少需要达到输入电压以上。由于电路板布局和所用的元器件不同，在某些情况下开关电压可能会过冲并超过输入电压，因此也需要考虑到这一点。正向电压越低，损耗越小，效率越高。
对于二极管整流DC/DC转换器来说，肖特基势垒二极管是否只能外置？是否有内置于IC中的类型？
也有内置肖特基势垒二极管的IC，但是由于二极管的开关损耗会略有增加，因此外置型居多。
不连续模式/LC谐振
在二极管整流DC/DC转换器的不连续工作模式下产生的LC谐振的L和C是指？
L主要是输出电感的电感量，C是二极管的寄生电容分量。
二极管整流DC/DC的不连续工作模式下的谐振可能带来的影响有哪些？
可以认为谐振没有特别的影响。这是因为振铃本身变得像正弦波，因此没有高次谐波分量作为噪声显现出来。
在二极管整流DC/DC的不连续模式下产生的LC谐振是否有问题？
即使产生了LC谐振，通常也没有问题，因为通过控制基本上达到设置的输出电压。然而，对于从不连续工作模式过渡到连续工作模式这类负载电流变化来说，负载瞬态响应速度要比连续工作模式下慢，输出电压的波动会变大。
想知道在二极管整流DC/DC转换器不连续工作模式下的LC谐振发生机制。
当输出电容器被充电时，电流试图返回到二极管侧，但是由于电流无法从阴极流向阳极而失去了去向，这些失去去向的电荷受电容器和二极管的寄生电容分量以及输出电感器影响而产生谐振。
二极管整流DC/DC转换器不连续工作模式下的谐振波形的电压是否会高于输入电压？
谐振波形的最大电压值为Vin + Hiside MOSFET的Vf。
如果使二极管整流DC/DC进行不连续工作，是否会对IC及其外围元器件产生不利影响？如果有影响的话应该采取什么对策？
在不连续工作时，相对于从不连续工作模式转变为连续工作模式时的负载电流变化，瞬态响应速度会变慢，因此输出电压波动会略有增加。作为对策，包括增大输出电容器的容量，增大输出电感器的电感量并设置防止不连续工作的纹波电流等方法。
同步整流
直通电流/死区时间
在降压工作中，与同步整流方式相比，二极管整流方式中有“无直通”的说法，是什么意思呢？
与同步整流不同，在二极管整流的情况下，高边晶体管和低边二极管不会同时导通，因此，不会发生开关导致的从Vin到GND的短路，所以使用了“无直通”的表述。
为什么在二极管整流DC/DC转换器中没有同步整流型中可能产生的“直通”现象？
在二极管整流中，开关晶体管和二极管原则上不会同时导通，因此不会发生“直通”现象。
“直通”是什么样的现象？
在同步整流DC/DC转换器中，高边晶体管和低边晶体管处于同时导通状态，并且高边输入电源（Vin）和低边GND之间短路的现象。
什么是“直通电流”？
当同步整流DC/DC转换器的高边晶体管和低边晶体管同时导通时，高边的输入电源（Vin）和低边的GND变为短路（直通）状态，期间流过的大电流称为“直通电流”。
同步整流DC/DC转换器所需的死区时间大致是多少？
关于死区时间的长短，如果设置较长的死区时间，虽然会降低直通风险，但会导致效率下降，死区时间与效率之间存在权衡关系。
关于同步整流DC/DC转换器开关MOSFET的寄生二极管的导通，容许程度是？
具体因机型而异，请根据型号单独咨询。
在同步整流中，当低边MOSFET导通时，是否是寄生二极管（体二极管）首先导通，然后MOSFET导通？
由于寄生二极管说到底是在MOSFET关断状态下出现的二极管结构，因此，当低边MOSFET关断时，寄生二极管会导通，然后MOSFET导通。
在同步整流电路中，是否容许有直通电流流过？比如流过直通电流的时间很短，直通电流在晶体管的额定范围内等。
原则上不希望发生直通现象，因此IC中都采取了设置确保两边晶体管都关断的时间（即死区时间）的措施。在所述示例的条件下，IC可能会继续工作，但是考虑到效率和可靠性，还是不容许这类情况发生的。
轻负载模式/脉冲跳跃
切换到轻负载模式的条件是否因元器件而异？
基本上因电源IC的开关频率和外置元器件的输出电感而异。
利用轻负载模式，即使在轻负载时也能实现高效率，想了解一下其原因和切换到轻负载模式的条件。
由于轻负载时是跳跃式执行开关动作（间隔式开关），故可以提高效率。当负载电流约为电感纹波电流IL的1/2以下时，即开始跳跃工作模式。
在同步整流DC/DC转换器轻负载时脉冲跳跃工作中的开关频率会发生什么变化？
这取决于负载电流。在轻负载时的电感电流IL的波形中，三角形的面积表示积蓄在输出电容器中的电荷。当这种电荷通过负载被释放时，将执行下一个开关动作。其周期就是开关频率。
在有轻负载模式的同步整流DC/DC转换器IC中，应如何考虑轻负载和重负载的标准？
基本上轻负载是不连续工作状态下的负载，重负载是连续工作状态下的负载。轻负载和重负载之间的切换取决于IC和外部常数。
重负载是指额定输出电流的百分之多少？
基本上重负载是指连续工作的状态。顺便说一下，轻负载是不连续工作的状态。对于有轻负载模式的同步整流DC/DC转换器来说，轻负载和重负载之间的切换取决于IC和外部常数。
如何检测在同步整流DC/DC转换器脉冲跳跃时的电感电流IL为零的情况？
有几种检测方式，但是通常通过低边MOSFET的漏源极间电压来检测。
如何检测在同步整流DC/DC转换器脉冲跳跃时的电感电流IL？
有几种检测方式，但是通常通过低边MOSFET的漏源极间电压来检测。
在同步整流DC/DC的脉冲跳跃工作时的开关波形中会出现类似振铃的波动，是否会有其他不利影响？
可以认为谐振没有特别的影响。这是因为振铃本身变得像正弦波，因此没有高次谐波分量作为噪声显现出来。
请问同步整流型电源IC轻负载时的脉冲跳跃技术是一种普通技术，与制造商无关，在最近的电源IC中很常见，还是一种专利技术，仅限于有脉冲跳跃功能的电源IC（制造商）？
脉冲跳跃技术是一种普通技术。
想知道在同步整流型电源IC轻负载时的脉冲跳跃工作中用来检测电感电流IL变为零的电路。
属于IC内部电路，因此未公开。
轻负载模式/脉冲跳跃
在降压工作中，与同步整流方式相比，二极管整流方式中有“无直通”的说法，是什么意思呢？
在不连续工作模式下，是以不同于稳定开关频率的谐振频率工作的，因此在低频范围内，会在开关频率以外的频段产生噪声。
负载/负载响应
当负载是电感器或电容器而不是电阻器时，有什么需要注意的吗？
当电感（电感量）是负载时，有些情况下需要考虑电动势引起的反向电流。
要改善DC/DC转换器IC的负载响应特性，在IC内部电路中都考虑哪些因素？
将反馈电路的频率特性扩展到更高的频段有助于改善负载响应性能。
当DC/DC转换器的负载急剧变化时，输出电压如何变化？
如果负载急剧增加，输出电压可能会暂时下降；如果负载急剧减少，则输出电压可能会暂时上升。该负载响应特性取决于基于IC和调整电路的频率特性。
如果是根据负载自动更改开关频率的DC/DC转换器IC，当负载从重负载变为轻负载时，过冲可能会增加，对此有什么对策？
对于从重负载到轻负载的过冲，通常采取增加输出电容器的对策。
保护功能
想知道过负载时和短路时的保护方法。
不同的IC所采取的方法也略有不同，但过电流时的保护通常是当流过超出IC内部或外部设置的限制值的电流时，会限制开关的ON duty并降低输出电压。当输出电压降至某个值以下时，短路保护功能也被激活，并关断输出功率晶体管。
可以用任意电流激活过电流保护功能吗？
需要选择可以通过外置电阻等设置过电流检测值的类型。
IC中是否配有保护电路？
在IC内部配有保护功能，具体因IC型号和保护功能而异。如果保护功能的阈值可调，则可以通过外置元器件进行调整。
连续工作/不连续工作
设计DC/DC转换器时，按照使之连续工作的设计思路进行设计对吗？
如果负载电流的变化跨越了连续工作和不连续工作，则瞬态响应特性可能会比正常时要差，并且输出电压的波动可能会比正常时要大。负载器件是否可以承受是判断指标之一。如果无法承受，需要调整IC的相位补偿元器件常数，或在设计中探讨添加虚拟负载以避免不连续工作。如果是标准的负载电流值，则通常采取使之连续工作的设计思路。
在不连续工作时，输出电流大于纹波电流的1/2是什么条件？
比如在纹波电流为400mA的情况下，施加的负载电流大于其1/2即200mA。
不连续工作是否具有比连续工作所产生的噪声更多的缺点？
在不连续工作模式下，存在与基本开关频率不同的谐振频率，因此在低频范围内，会产生开关频率以外的频段噪声。
最大占空比（MaxDuty）
输出电压设置范围
上下Nch配置的同步整流DC/DC转换器的最大占空比MaxDuty和输出电压之间有什么关系？
输出电压的上限受MaxDuty的限制，输出电压通过以下公式计算：
Vo＝MaxDuty×(Vin－Io×Ron)－Io×DCR
Vo：输出电压，Vin：输入电压，Io：输出电流，Ron：高边MOSFET的导通电阻，DCR：电感的串联电阻
当输入电压和输出电压差较大时，为什么需要通过多个DC/DC转换器进行降压（比如分两步降压）？
IC具有最小导通时间限制，这种限制决定了可以降压的最小电压。特别是当开关频率较高时，最小导通时间在周期中所占比例增加，从而无法获得预期的降压电压。作为其对策，可以采取例如分两步降压的方法。
最小导通时间Ton(min)
同步整流DC/DC的MaxDuty是否受最小导通时间Ton（min）的影响？
受影响。
如何确定限制同步整流DC/DC转换器输出电压下限的最小导通时间Ton（min）？
Ton(min)取决于IC。
最大占空比（MaxDuty）
高低边晶体管均由Nch MOSFET组成的同步整流DC/DC转换器的最大占空比MaxDuty是根据什么确定的规格？
IC的内部电路。
为什么在高低边均由Nch组成的同步整流DC/DC转换器中限制MaxDuty不达到100％？
高边Nch MOSFET的导通需要自举电路，为了给其升压电容器充电，需要低边MOSFET必须导通且开关引脚处于“L”状态。而这需要相应的时间，故对MaxDuty产生限制，达不到100％。
高低边Nch配置的同步整流DC/DC转换器的自举电路中的电容器值会影响MaxDuty吗？
通常，MaxDuty公式中不包括自举电容器的参数，但是如果电容值过大，就会影响到MaxDuty。请按照技术规格书中的推荐值使用自举电路的电容器。
其他
评估中的DC/DC转换器IC的输入电压为7～35V、输出电压为0.8V～Vin，可否在输入35V、输出0.8V等输入输出电压差较大的条件下使用？
可以根据该IC最小导通时间的规格来计算可用性。例如，如果最小导通时间为250ns，则当开关频率为100kHz时，最小导通占空比为250ns/(1/100kHz)×100=2.5%。输入电压35V时的最小输出电压为35V×2.5%=0.875V。如果是可以选择开关频率的IC类型，可以通过降低开关频率来对应。但是，电感和输出电容的值会变大。
想估算用于热设计的每个组成元器件的发热量。是否有诸如手动计算和仿真等方法？
关于发热量的估算，有通过热阻计算和使用热流体模拟器进行计算两种方法。手动计算的话，需要根据热阻进行计算。计算所需的参数（如热阻）在各元器件的技术规格书中应该会提供。
请教一下DCDC转换器的升压原理。
与降压一样，由电感积蓄能量并通过导通和关断来转换电压，但是电路构成不同。当低边开关晶体管导通时，将能量积蓄在电感中。当低边开关晶体管关断时，输入电源的能量和积蓄在电感中的能量被供给输出端。通过重复该工作，可以产生高于输入电压的电压。
Icc是表示什么电流的符号？
通常表示电源IC本身的电路电流。
与LDO相比，DC/DC转换器的缺点之一是其成本比LDO高，是否是这样？
DC/DC转换器通常需要更多的外置元器件，因此在成本方面LDO更具优势。
如何确定反馈电源IC输出电压的误差放大器的基准电压？
由于基准电压是电源IC可以输出的最低电压，所以电源IC的基准电压应该尽量低。然而，电压越低，精度和抗噪性越低，因此目前主流的基准电压为0.7V～1.0V左右。
当作为电机驱动器的电源使用时，针对电机启动时突然出现的负载变化，选择LDO或DC/DC转换器时应考虑哪些因素？
对于电机应用来说，在很多情况下需要特别考虑反电动势的影响，如果反电动势超过电源IC的耐压，就会有损坏电源IC的风险。因此，需要考虑到反电动势因素来选择具有足够耐压余量的电源IC。
来源：ROHM
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