两类主要的半导体存储器RAM（随机访问存储器）和ROM（只读存储器）。RAM是在等量时间内可以访问所有存储单元，具备读和写功能，但是会掉电丢失；ROM是可以读取但不可以写入，掉电会保存。

1、RAM，分为静态SRAM和动态DRAM，静态使用锁存器作为存储单元，因此只要有电就可以永久保存；动态RAM使用电容作为存储单元，因此需要间隔一段时间就要对电容进行充电刷新。SRAM比DRAM速度快得多，但是DRAM体积更小。

2、ROM，有如下几种分类，掩膜ROM，可编程ROM，可擦除ROM，紫外线ROM，电可擦除ROM。掩膜ROM是最普遍的ROM，永久编程不可改变，基本储存单元是场效应管，行列同时有效即写入高电平。

可编程ROM使用熔丝来储存位，以熔丝的连通和烧毁来表示0和1，一旦成型不可逆，基本储存单元也是场效应管，但是在源极增加了熔丝。

可擦除EPROM，储存数据可擦除然后又可以再次写入，数据位电平的高低是通过绝缘栅场效应晶体管的栅极是否储存电荷表示的，数据的擦除是移走电荷的操过程。

除以上两种储存介质以外，还有另外几种存储介质，闪存（FLASH），先进先出储存器FIFO，后进先出存储器LIFO

1、闪存，高密度的非易失性读写存储器，没有电的情况下可以永久保存；基本储存单元是单浮栅MOS管，电压加在栅极上，浮栅存储电荷，就是0，没有电荷就是1。

2、先进先出储存器FIFO，由多个移位寄存器排列组成，常用在数据通信情况中。

3、后进先出存储器LIFO,一般由寄存器组成，用在计算机系统。

4、CCD存储器，以电容上的电荷作为存储的数据，具有把光信号转换为电信号的功能，主要优点是存储密度高，广泛应用与数字存储领域。存储的基本单元是一种半导体电容（称为通道）的介质组成。

5、磁盘存储，由合金材料和表面涂有磁性材料的底盘组成，硬盘是随机访问设备，存储位由磁性区域的磁场和线圈流过的电流方向控制。

6、光盘存储，最普通的是只读存储器CD-ROM，由光盘表面的凹痕存储数据，读取时用红外线照射然后根据反射判断是0或1.。