富士电机推出新七代IGBT单管，第 7 代的 IGBT 芯片结构继承了第 6 代 V系列技术开发的场截止（Field Stop）结构和沟槽门极结构。第 7 代 X 系列与第 6 代 V 系列相比，通过用薄晶片减少漂移层的厚度。通过采用这样的薄漂移层，可以在第 7 代 X 系列中更进一步降低 IGBT 芯
片的导通压降。一般来说，漂移层变薄时，可能会出现关断时的电压振荡及耐压降低，但通过进一步优化场截止层，可以抑制电压振荡的同时确保足够的击穿电压以达成芯片的进一步减薄。另外，与第 6 代 V系列相比，通过使芯片表面的沟槽门极结构的细小化和最优化，可以抑制在导通时 P 通道抽出的空穴，通过增加表面的载流子浓度来提高 IE 效果（Injection Enhanced），大幅度改善了导通压降和关断损耗之
间的平衡关系。
电流分别从30A-100A    650V      40A-140A  1200V   里置二极管电流跟IGBT主电流一样， FGW30XS65D       FGW40XS65D FGW50XS65D             FGW50XS65C              FGW75XS65D            FGW75XS65C            FGZ75XS65C           FGW40XS120C   
FGW75XS120C           FGZ75XS120C